Студопедия

Главная страница Случайная страница

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Порядок виконання роботи. 1. Встановити на стенд схему №6






1. Встановити на стенд схему №6. Зібрати схему для дослідження хара­ктеристик транзистора зі СЕ (Рис. 3.5).

 
 


 

Рис. 3.5. Схема для дослідження хара­ктеристик транзистора зі СЕ

 

При цьому для дослідження вхідних характеристик транзистора гнізда „+” і „− ” міліамперметра РА1 з’єднати з відповідними гніздами входу АВМ1 стенда; гнізда „+” і „− ” вольтметра РV1 — з виходами „+” і „− ” АВМ2 стенда. Для вимірювання напруги на колекторі транзистора и КЕ (вольтметр РV2) встановити перемикач приладу „Вимірювач виходу” (ВВ) в положення „25 В ГН2”.

Примітка: Тумблер „ЧМ - ГНЧ” приладу (ВВ) потрібно встановити в положення „ГНЧ”. При цьому вольтметр приладу ВВ (зі шкалою 25 В) буде підключений до гнізда РV2 (UКЕ).

Гнізда „+” і „− ” ГС з’єднати з відповідними гніздами генератора струму (ГС) стенда, а гнізда „+” і „− ” ГН2 — з відповідними гніздами генератора напруги ГН2 стенда. В гнізда V1 встановити германієвий транзистор МП40 (МП26). Гнізда „+” і „− ” міліамперметра РА2 замкнути перемичкою (при дослідженні вхідних характеристик цей прилад не використо­вується).

2. Встановити потенціометри „Грубо” і „Точно” джерел ГС і ГН2 в крайнє ліве положення.

3. Після перевірки викладачем правильності зібраної схеми ввімкнути жи­влення стенда (тумблер „Мережа”).

4. Зняти вхідні характеристики транзистора при при двох значеннях UКЕ: 0 В і − 10 В). Для цього переконайтесь, що відповідний вольтметр показує напругу UКЕ близьку до нуля. Потенціометрами „Грубо” і „Точно” ГС встановлювати по міліамперметру РА1 струм бази в межах 0...0, 1 мА. Для кожного значення ІБ по відповідно­му вольтметру визначати напругу UБЕ. Дані вимірювання занести в табл. 1. По вольтметру приладу ВВ потенціометрами „Грубо” і „Точно” ГН2 встановити напругу і повторити вимірювання, як наведено вище. Дані вимірювання занести в табл. 2.

Таблиця 1

Вхідні характеристики транзистора при

ІК мА   0, 01 0, 02 0, 03 0, 04 0, 05 0, 06 0, 07 0, 08 0, 09 0, 1
UБЕ, В   0, 06 0, 07 0, 08 0, 09 0, 1 0, 11 0, 11 0, 12 0, 12 0, 13

Таблиця 2

Вхідні характеристики транзистора при

ІБ, мА   0, 01 0, 02 0, 03 0, 04 0, 05 0, 06 0, 07 0, 08 0, 09 0, 1
UБЕ, В   0, 12 0, 14 0, 15 0, 16 0, 17 0, 18 0, 18 0, 19 0, 19 0, 19

5. Встановити потенціометри „Грубо” і „Точно” джерел ГС і ГН2 в крайнє ліве положення. Вимкнути живлення стенда.

6. Підготувати схему для дослідження вихідних характеристик транзисто­ра. Для цього зняти перемичку з приладу РА2. Зняти провідники, які з’єднують вольтметр РV1 і прилад АВМ2. З’єднати гнізда „+” і „− ” мілі­амперметра РА2 з відповідними гніздами приладу АВМ2. При цьому пе­ремикач границь вимірювання приладу АВМ2 встановити в положення „5 мА ”.

7. Ввімкнути живлення стенда.

8. Зняти вихідні характеристики транзистора при Для цього потенціометрами „Грубо” і „Точно” генератора струму (ГС) по приладу АВМ1 (перемикач границь вимірювання — в положення, 0, 5 мА) встановити струм бази По вольтметру приладу ВВ по­тенціометрами „Грубо” і „Точно” ГН2 послідовно встановити значення UКЕ від 0 до − 12 В з кроком 1..2 В. Для кожного значення UКЕ по приладу АВМ2 визначити значення струму колектора ІК. Дані вимірювання занести в табл. 3. Повторити вказані вище вимірювання струму колек­тора ІК при струму бази і Дані занести в табл. 3.

Таблиця 3

Вихідні характеристики транзистора при

UКЕ, В                
ІК, мА   1, 03 1, 07 1, 14 1, 21 1, 24 1, 3 1, 35
ІК, мА   2, 03 2, 11 2, 25 2, 37 2, 49 2, 6 2, 72
ІК, мА   3, 08 3, 21 3, 41 3, 61 3, 79 3, 99 4, 19

 

9. Встановити потенціометри „Грубо” і „Точно” джерела ГС і ГН2 в крайнє ліве положення. Вимкнути живлення стенда.

10. По даним таблиць 1—3 побудувати графіки вхідних і вихідних характеристик транзистора в схемі з СЕ. Визначити h -параметри транзи­стора по його вольт-амперним характеристикам.

вхідний опір транзистора при

коефіцієнт передачі (коефіцієнт підсилення) за струмом при

вихідна провідність транзистора при

 

Рис. 3.6. Вхідні та вихідні характеристики біполярного транзистора

Висновок: вивчили устрій, характеристики і параметри біпо­лярних транзисторів в основних схемах включення, взаємозв’язки цих ха­рактеристик і параметрів; набули навикчок розрахунків параметрів транзис­тора за його статистичними характеристиками.


Поделиться с друзьями:

mylektsii.su - Мои Лекции - 2015-2024 год. (0.007 сек.)Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав Пожаловаться на материал