Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Магнитные материалы. ⇐ ПредыдущаяСтр 7 из 7
Намагниченностью материала J называется суммарный магнитный момент электронов в единице объема. Намагниченность материала равна 0 в случае, когда он не был намагничен, и внешнее магнитное поле отсутствует. Под воздействием магнитного поля со средней напряженностью Н внутри тела намагниченность равна: J=c'H, (43) где c - магнитная восприимчивость. Магнитная индукция вещества В связана с намагниченностью: В=В0+J=B0+c'H, (44) где В0 – магнитная индукция вещества в отсутствии внешнего магнитного поля. Относительная магнитная проницаемость m=1+ /m0, (45) где m0=4p'10-7 Гн/м - магнитная постоянная вакуума.
Классификация материалов по магнитным свойствам:
Остаточной индукцией Br называют индукцию, которая остается в предварительно намагниченном образце после снятия внешнего магнитного поля. Коэрцитивная сила Hc – напряженность размагничивающего поля, которое должно быть приложено к предварительно намагниченному образцу для того, чтобы магнитная индукция в нем стала равной нулю. Энергетические потери на гистерезис за один цикл перемагничивания, отнесенные к единице объема вещества (удельные потери): ; (46) Зависимость магнитной индукции материала от напряженности внешнего магнитного поля имеет форму петли гистерезиса. Классификация материалов по форме петли гистерезиса:
Дополнительные параметры магнитных материалов вводят в частных областях по признакам применения. Например, для магнитных материалов с прямоугольной петлей гистерезиса, основой элементов памяти, важным параметром является коэффициент переключения: Sф=t(Нm-H0), (47) где Нm- напряженность магнитного поля, соответствующая максимальной магнитной индукции Вm: Нm»4/3Hc (48) t - время переключения элемента памяти, т.е. время необходимое для перехода из одного магнитного состояния в другое, например, от -Вr до +Вr; Н0 – напряженность поля старта, т.е. минимальная напряженность поля, необходимое для такого перехода. Для магнитодиэлектрика, состоящего из связующего диэлектрика и магнитного наполнителя магнитная проницаемость m: m=mаa, (49) где mа- магнитная проницаемость наполнителя. Диэлектрическая проницаемость магнитодиэлектрика: e=emaeД1-a, (50) где em, eД – диэлектрическая проницаемость наполнителя и диэлектрика соответственно; a - объемное содержание магнитного материала.
Геннадий Васильевич Перов Наталья Евгеньевна Фадеева Ирина Владимировна Решетнева
Химия радиоматериалов Ч. II
Электрофизические свойства радиоматериалов
Контрольные задания и методические указания к их выполнению
Редактор: Корректор:
Лицензия ЛР-020475, январь 1998 г., подписано в печать, формат бумаги 62х84/16, отпечатано на ризографе, шрифт №10, изд. л. 2, 0, заказ №, тираж. СибГУТИ 630102, Новосибирск, ул. Кирова, 86.
|