![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Глава 1.Расчет и выбор элементов инвентора.
максимальный ток через ключи инвентора:
Где
Выбираем модуль IGBT от производителя Fairchild Semiconductor серии FSAM10SH60A FSAM10SH60A – Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 10A рис 1 Силовой IGBT модуль FSAM10SH60A является современным силовым модулем, разработанным компанией Fairchild. Эти модули предназначаются для компактных, маломощных и высокопроизводительных инверторов, управляющих двигателями переменного тока в таких устройствах, как кондиционеры или стиральные машины. Эти устройства сочетают в себе хорошие характеристики управления с малыми потерями IGBT и оптимальную защиту цепи. Интегрированная защита от пониженного напряжения, защита от короткого замыкания и мониторинг температуры повышают надежность системы. Ток каждой фазы инвертора можно контролировать отдельно благодаря разделению отрицательных клемм постоянного тока. Применение: Особенности: · Простая разводка на печатной плате благодаря встроенным диодам; · Одно полярное питание с заземлением за счет встроенного HVIC; · Типичные частоты коммутации 15кГц; · Встроенный термистор для контроля температуры; · Очень низкий ток утечки за счет использования керамической подложки; · Высока прочность изоляции 2500Vrms /min.
· · · Потери IGBT в проводящем состояни:
Где
D=0, 95 максимальная скважность; cos
Потери IGBT при коммутации:
где
Суммарные потери IGBT:
Потери диода в проводящем состоянии:
Где
Потери при восстаналении запирающих свойств диода:
Где
Суммарные потери диода:
Результирующие потери IGBT с обратным диодом:
|