Теоретический материал. Лабораторная работа 4. Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Лабораторная работа 4. Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цель работы

1. Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения

база-эмиттер.

2. Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от

тока коллектора.

3. Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки.

4. Получение входных и выходных характеристик транзистора.

5. Определение коэффициента передачи по переменному току.

6. Исследование динамического входного сопротивления транзистора.

Теоретический материал

Исследуемая схема показана на рис. 3.1. Статический коэффициент передачи тока определяется как отношение тока коллектора I_K к току базы I_Б:

Решение: -15, 22/81, 96=-0, 1857

Коэффициент передачи тока определяется отношением приращения коллекторного тока к вызывающему его приращению базового тока:

Решение: -11.724/62.216=-0.1884

Дифференциальное входное сопротивление r_ВХ транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряжения

коллектор-эмиттер. Оно может быть найдено как отношение приращения напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению тока базы:

Решение: 12/62.216= 0.1928

Дифференциальное входное сопротивление r_вхтранзистора в схеме с ОЭ через параметры транзистора определяется следующим выражением:

где r_Б – распределенное сопротивление базовой области полупроводника; r_Э – дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое из выражения: r_Э = 25/ I_Э, где I_Э – постоянный ток эмиттера в миллиамперах.

Первое слагаемое r_Б в выражении много меньше второго, поэтому им можнопренебречь:

Дифференциальное сопротивление rЭ перехода база-эмиттер для биполярного транзистора сравнимо с дифференциальным входным сопротивлениемr_ВХОБ транзистора в схеме с общей базой, которое определяется при фиксированном значении напряжения база-коллектор. Оно может быть найдено как отношение приращения к вызванному им приращению тока эмиттера

Через параметры транзистора это сопротивление определяется выражением

Первым слагаемым в выражении можно пренебречь, поэтому можно считать, что дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер приблизительно равно: