![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Схемы включения транзисторов. ⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2
Как элемент электрической цепи, транзистор включают таким образом, что один из его электродов является входным, а другой — выходным. Третий электрод является общим относительно входа и выхода. В зависимости от того, какой электрод является общим, различают три схемы включения транзисторов: с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) (рис. 2.12).
Рис. 2.12
Схема с ОБ усиливает по напряжению и мощности. Схема с ОК усиливает по току и мощности. Схема с ОЭ усиливает по напряжению, току и мощности, поэтому применяется наиболее часто. Коэффициент передачи тока эмиттера h21э=(ð Iк/ð Iэ)Uкэ=const≈ Iк/Iб h21э= h21б/(1- h21б) Семейство входных характеристик транзистора для схемы ОЭ Iб= f (Uбэ)Uкэ=const показано на рис. 2.13, а. При Uкэ = 0 вольт-амперная характеристика аналогична прямой ветви характеристики диода. С ростом напряжения на базе ток базы экспоненциально увеличивается, переходя в линейную зависимость при сравнительно большом токе базы. Выходные характеристики транзистора для схемы ОЭ Iк= f (UКЭ)Iб=const (рис. 2.13; б)... Рис. 2.13 Характеристиками пользуются для определения режимов работы транзистора. Рис. 2.18 1) Усилительный режим- эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный- в обратном, на рис. 2.18, а усилительный режим отмечен как активная область I. 2) Режим насыщения - при малых напряжениях на коллекторе (0, 2—0, 3 В) ток коллектора не зависит от тока базы и характеристики сливаются в одну линию (область насыщения II). В режиме насыщения оба перехода транзистора смещаются в прямом направлении, а транзистор можно представить в виде замкнутого ключа (рис. 2.18, б). Этот режим возникает при больших токах базы Iб≥ Iб нас 3) Режим отсечки - Iб = 0, оба перехода транзистора смещены в обратном направлении, и через них проходят очень малые обратные токи. Транзистор в области отсечки Ш представляет собой разомкнутый ключ (рис. 2.18, в). I и III режимы называют ключевыми. 4) Режим лавинного пробоя IV возникает при Uкэ=Uкэ.проб, при этом происходит пробой коллекторного перехода, и коллекторный ток резко возрастает. Такой режим работы транзистора является недопустимым.
|