![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Extended или Enhanced Data Out (EDO)
Следующей модификацией памяти, направленной на повышение производительности при том же быстродействии запоминающих элементов, явилась память EDO (Extended или Enhanced Data Out) DRAM. Эта память содержит регистр-защелку (data latch) выходных данных, что обеспечивает некоторую конвейеризацию работы для повышения производительности при чтении. Этот режим иногда называют гиперстраничным режимом обмена НРМ (Hyper Page mode). Его отличие от стандартного заключается в подъеме импульса CAS# до появления действительных данных на выходе микросхемы. Считывание выходных данных может производиться внешними схемами вплоть до спада следующего импульса CAS#, что позволяет экономить время за счет сокращения длительности импульса CAS#. Время цикла внутри страницы для памяти со временем доступа 60 нс уменьшается с 35 нс (28, 5 МГц) у стандартной DRAM до 25 нс (40 МГц) у EDO, повышая производительность в страничном режиме на 40%. EDO-память со временем доступа 60-70 нс в режиме гиперстраничного обмена при частоте системной шины 66 МГц может обеспечить лучший пакетный цикл чтения 5-2-2-2. Благодаря простоте данного усовершенствования при одном и том же времени доступа запоминающих элементов цена EDO-памяти почти не отличается от цены стандартной памяти. Однако ее применение дает эффект, соизмеримый с эффектом от установки стандартного асинхронного внешнего кэша. Более того, установка такого кэша в систему с EDO-памятью практически не дает повышения производительности. В результате распространилось мнение, что в EDO-памяти содержится внутренний кэш, однако для простого регистра-защелки название «кэш» звучит слишком торжественно. Микросхемы EDO DRAM применяются в современных SIMM-72 и DIMM-модулях, эти модули конструктивно и по назначению выводов совместимы со стандартными (FPM). Все EDO-модули не имеют бит паритета (однобитные микросхемы EDO не выпускаются). Контрольные разряды 36-битных EDO-модулей могут использоваться только в ЕСС-памяти, в которой доступ осуществляется всегда сразу ко всем байтам. Установка EDO DRAM вместо стандартной в неприспособленные для этого системы может вызвать конфликты выходных буферов устройств, разделяющих с памятью общую шину данных. Скорее всего этот конфликт возникнет с соседним банком памяти при использовании чередования (Bank Interleaving). Из принципиального различия в работе выходных буферов следует, что в одном банке не стоит смешивать модули EDO и стандартные. EDO-модули поддерживаются не всеми чипсетами и системными платами (в большей мере это относится к системным платам для процессоров 486). Кроме того, не все системные платы, поддерживающие EDO-память, используют потенциальный выигрыш в производительности от ее «малой конвейеризации» (это замечание больше относится к дешевым системным платам). Задержка отключения выходных буферов затрудняет применение чередования банков, из-за чего некоторые системные платы не поддерживают Bank Interleaving для EDO-памяти. Многие современные чипсеты совместно с BIOS автоматически определяют тип установленных модулей и даже допускают смесь EDO и стандартных модулей в разных банках. Для определения типа чипсет организует специальный цикл обращения, в котором «прощупывает» все банки и заполняет таблицу, после чего переводится в режим нормального обращения (с таким специальным циклом возможна и обычная работа с памятью, но ее производительность будет на удивление низкой). В нормальном режиме обращения в зависимости от адреса, определяющего номер банка, по значению соответствующего ему полю таблицы будет организован требуемый цикл. Микросхемы EDO применяются как в основной памяти, так и в видеопамяти современных графических адаптеров. Результатом дальнейшего развития конвейерной архитектуры модулей памяти явилась BEDO (Burst EDO) DRAM. В микросхемах данного типа кроме регистра-защелки выходных данных, стробируемого теперь по фронту импульса CAS#, содержится еще и внутренний счетчик адреса колонок для пакетного цикла. Это позволяет выставлять адрес колонки только в начале пакетного цикла, а во 2-й, 3-й и 4-й передачах импульсы CAS# только запрашивают очередные данные. В результате удлинения конвейера выходные данные как бы отстают на один такт CAS#, зато следующие данные появляются без тактов ожидания процессора, чем обеспечивается лучший цикл чтения 5~1~1~1 для BEDO-памяти со временем доступа 60 нс при частоте шины до 66 МГц. Задержка появления первых данных пакетного цикла окупается повышенной частотой приема последующих. BEDO-память применяется в модулях SIMM-72 и DIMM, но поддерживается далеко не всеми чипсетами.
|