![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Лабораторная работа №1. Исследование полупроводниковых диодов
Исследование полупроводниковых диодов
Задание на подготовку к лабораторной работе: Изучить материал о свойствах полупроводниковых диодов по учебной литературе [7, с. 117 – 120], [1, с. 88 – 92], [3, с. 18 – 27], [5, с. 22 – 24]. Задание на выполнение лабораторной работы: Исследовать прямую ветвь вольтамперной характеристики диода, построить ее график. Пределы изменения прямого тока – от 1 мкА до величины, указанной в таблице вариантов. Рассчитать и построить зависимости статического и дифференциального сопротивлений диода от тока. Указания к выполнению: Собрать схему в соответствии с рис. 1.
Задавая различные значения тока источника, фиксировать значения прямого падения напряжения, отображаемые вольтметром. Для расчета дифференциального сопротивления необходимо задавать ток парами близких значений, отличающихся с таким расчетом, чтобы фиксируемые значения прямого падения напряжения отличались не менее чем на десять единиц младшего разряда. Варианты задания выданы в ходе установочных занятий. Студенты, не выполнявшие лабораторные работы в сессии 5 семестра, выбирают вариант по последней цифре шифра согласно нижеследующей таблице.
В отчете должны быть приведены: 1. Задание. 2. Данные своего варианта. 3. Схема модели в виде скриншота. 4. Таблицы данных, полученных при работе модели. 5. Графики вольтамперной характеристики и зависимости сопротивлений от тока. 6. Выводы о свойствах полупроводникового диода.
|