![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Кремний
Кремний является элементом IV группы Периодической системы химических элементов Д.И.Менделеева. После кислорода это самый распространенный элемент в земной коре. Он составляет примерно 1/4 массы земной коры. Однако в свободном состоянии в природе он не встречается. Его соединениями являются такие распространенные природные материалы, как кремнезем и силикаты. Песок и глина, образующие минеральную часть почвы, также представляют собой соединения кремния. Из соединении кремний получают несколькими способами. Чаще всего используют метод восстановления четыреххлористого кремния SiCl 4 парами цинка или водорода. В технологическом отношении кремний более сложный материал, чем германий, так как он имеет высокую температуру плавления 1414°С и в расплавленном состоянии химически активен (вступает в реакцию со всеми материалами, из которых изготавливают тигли). Кристаллический кремний - темно-серое твердое и хрупкое вещество с металлическим блеском, химически довольно инертное. Основной параметр полупроводниковых приборов - ширина запретной зоны при температуре 20°С Концентрация собственных носителей зарядов при комнатной температуре ni = 3× 1016м-3. Удельное электрическое сопротивление кремния с собственной электропроводностью При использовании монокристаллического кремния в полупроводниковом производстве имеют место большие потери этого материала. Это связано с тем, что большинство полупроводниковых приборов основано на процессах, происходящих в очень узких граничных или поверхностных слоях полупроводника. Остальной объем монокристалла является паразитной частью и чаще всего ухудшает параметры прибора. Большая часть материала теряется при механической обработке слитков (резке на пластины, шлифовке, полировке и т.д.). С целью уменьшения этих потерь в полупроводниковом производстве применяют кремний в виде монокристаллических тонких слоев, которые осаждают на объемные монокристаллы, которые называют подложками. Такие монокристаллические слои, сохраняющие кристаллографическую ориентацию подложки, называют эпитаксиалъными. В качестве подложек используют монокристаллы кремния, сапфира, корунд и др. В зависимости от характера влияния на тип электропроводности примеси делят на нейтральные, донорные, акцепторные и создающие в запретной зоне кремния глубокие энергетические уровни. К нейтральным примесям кремния относят водород, азот, инертные газы, а также элементы IV группы Периодической системы химических элементов Д.И.Менделеева (германий, олово, свинец). Основными донорными примесями являются элементы V группы Периодической системы химических элементов Д.И.Менделеева (фосфор, мышьяк, сурьма, висмут). В качестве акцепторной примеси для кремния в основном используют элементы III группы Периодической системы химических элементов Д.И.Менделеева (бор, алюминий). Элементы I, II, VI, VII гpyпп создают в запретной зоне кремния глубокие энергетические уровни и могут быть донорами и акцепторами. В качестве таких примесей чаще всего применяют золото и цинк. При легировании золотом в кремнии образуются дополнительные центры рекомбинации носителей заряда, что уменьшает время жизни неравновесных носителей заряда. Легирование кремния производят в процессе получения объемных монокристаллов и эпитаксиальных пленок.
|