![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Флэш-память других фирм
Микросхемы флэш-памяти выпускаются многими фирмами. Они различаются по организации, интерфейсу, напряжению питания и программирования, методам защиты и другим параметрам. Лидеры в области разработки и производства флэш-памяти — фирмы AMD, Fujitsu Corporation, Intel Corporation и Sharp Corporation летом 1996 года приняли спецификацию CFI (Common Flash Memory Interface Specification), обеспечивающую совместимость разрабатываемого программного обеспечения с существующими и разрабатываемыми моделями флэш-памяти. Эта спецификация определяет механизм получения информации о производителе, организации, параметрах и возможных алгоритмах программирования микросхем флэш-памяти. Для этого микросхемы флэш-памяти должны поддерживать команду опроса QUERY. В первом шинном цикле в микросхему по адресу 55h посылается код 98h (микросхема может и игнорировать адрес, «отзываясь» только на код данных 98h). Во втором шинном цикле, адресованном к этой микросхеме, выполняется чтение данных.идентификационной структуры (на шину адреса микросхемы подается адрес интересующего байта структуры). Этими парами циклов структура может быть считана в произвольном порядке. Идентификационная структура содержит: ♦ ключ-признак наличия структуры — цепочка символов «QRY»; ♦ идентификатор (2 байта) первичного набора команд и интерфейса програм 304________________________________ Глава 7. Интерфейсы электронной памяти ♦ указатель на таблицу параметров для программирования (и саму таблицу); ♦ идентификатор, указатель и таблицу параметров альтернативного набора ♦ минимальные и максимальные значения напряжений питания (основного ♦ значение тайм-аутов для операций стирания (блока и всей микросхемы) и за ♦ объем памяти; ♦ максимальное число байтов для многобайтной записи; ♦ описания независимо стираемых блоков. Для перевода в режим чтения массива микросхемы должны воспринимать команду чтения массива Read Ar ray — запись кода FFh (FOh) по любому адресу в микросхеме. Для большинства изделий справедливы тенденции, описанные при рассмотрении микросхем Intel и AMD, а именно — повышение объема, снижение напряжений питания и потребляемой мощности, повышение производительности и упрощение внешнего интерфейса для операций стирания и программирования. По интерфейсу программирования микросхемы, у которых в начальной части обозначения стоит число «28», как правило, близки к флэш-памяти Intel, а с числом «29» — к флэш-памяти AMD. Микросхемы с буферированным программированием или страничной записью (Fast Page Write) могут не иметь в своей системе команд отдельной операции стирания сектора. Внутренняя операция стирания (и предварительного обнуления сектора) выполняется при страничном программировании. Для защиты от случайного выполнения ключевые последовательности команд содержат от 2 до 6 шинных циклов, причем у них может быть важен и адрес (как в микросхемах AMD). Методы защиты секторов имеют различную как программную, так и аппаратную реализацию. Для временного снятия защиты используют различные способы, одним из которых является ключевая последовательность семи шинных циклов чтения. Микросхемы флэш-памяти Micron совместимы с Intel и обозначаются аналогично, но начинаются с признака MT28F. Среди них есть и особенные, например: MT28F321P2FG - 2 М х 16 Page Flash Memory, MT28F322D18FH - 2 М х 16 Burst Flash Memory. Фирма Silicon Storage Technology выпускает разнообразные микросхемы флэш-памяти с одним напряжением питания для всех операций. Их свойства можно определить по обозначению вида SST хх YY zzz — ttt, где хх — семейство: ♦ 28 — побайтное программирование, посекторное стирание; ♦ 29 — страничное программирование с прозрачным стиранием (команда стирания сектора отсутствует, внутренняя операция выполняется автоматически перед записью страницы в массив). 7.3. Энергонезависимая память________________________________________ 305 Элемент YY задает функциональный тип и напряжение питания: ♦ ЕЕ— EEPROM-совместимые, выполнение одной инструкции, Vcc = 5 В; ♦ LE - то же, что и ЕЕ, Vcc " 3 В; ♦ VE - то же, что и ЕЕ, Vcc - 2, 7 В; ♦ SF— операции Super Flash Command Register, VCc = 5 В; ♦ IF-то же, что и SF, Vcc-3 В; ♦ W7-то же, что и SF, Vcc = 2, 7 В; ♦ DM — Disk Media (для флэш-дисков, требует внешнего контроллера), Vcc = 5 В; ♦ LM — то же, что и DM, Vcc ~ 3 В; ♦ Ш-тоже, что и DM, VCC = 2, 7B; ♦ PC — PCMCIA (интерфейс и протоколы), Vcc = 5 В. Элемент zzz задает объем микросхемы: ♦ 572 - 512 Кбит (64 К х 8); ♦ 070-1Мбит(128Кх8); ♦ 040-4Мбит(512Кх8); ♦ 050 - 8 Мбит (1 М х 8); ♦ 016-16Мбит(2Мх8); ♦ 032 - 32 Мбит (4 М х 8). Элемент ttt задает время доступа при чтении. Микросхемы SST29EEQ10, 29LE010 и 29VE010, часто применяемые в качестве носителя флэш-BIOS, организованы как 1024 страницы по 128 байт с программной и аппаратной защитой. Каждая страница может быть защищена независимо от других. Временные диаграммы стирания и программирования, а также необходимое напряжение программирования генерируются внутри микросхемы. Окончание операции определяется по алгоритму Toggle Bit или Data# Polling. Аналогичные параметры имеют микросхемы 29ЕЕ011, 29LE011, 29VE011 фирмы Winbond.
|