Хід роботи. 1. Ознайомитись із електричною схемою установки.

1. Ознайомитись із електричною схемою установки.

2. Виміряти прямий струм при різних значеннях (5...6 вимірів) прикладеної напруги (зняти ВАХ – І = f (U) у режимі прямого струму).

3. Перемикачем змінити напрям струму через діод. Зняти ВАХ у режимі оберненого струму.

4. Побудувати ВАХ даного діода для вказаних режимів.

5. Визначити внутрішній опір напівпровідникового діода у прямому та оберненому режимах його роботи:

,

де зміна напруги D U та сили струму D I визначаються на лінійній ділянці ВАХ.

6. Результати занести до таблиці 6.2.1.

Таблиця 6.2.1

Контрольні запитання

1. Що таке домішкова провідність?

2. Що таке напівпровідник n –типу? Які носії струму є основними в напівпровіднику n –типу?

3. Накресліть зонну діаграму напівпровідника n –типу. Де розташований рівень Фермі у домішковому напівпровіднику n –типу?

4. Що таке напівпровідник р –типу? Які носії струму є основними в напівпровіднику р –типу?

5. Накресліть зонну діаграму напівпровідника р –типу. Де розташований рівень Фермі у домішковому напівпровіднику р –типу?

6. Що таке n – р перехід і як технічно його отримують?

7. Накресліть та поясніть енергетичну діаграму контакту напівпровідників р – та n –типу.

8. Як виникає контактне електричне поле та потенціальний бар’єр для носіїв струму в n – р переході?

9. Чому запірний прошарок n – р переходу має великий опір?

10. Накресліть ВАХ для n – р переходу, поясніть вигляд її окремих ділянок.

11. Які переваги мають кристалічні діоди перед ламповими?