![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Порядок расчета усилителя
1 Расчет усилителя начинается с расчета выходного каскада, т.е. эмиттерного повторителя. Вычисляем ток нагрузки IН~ = UВЫХ / RН (15) Затем определяем постоянную составляющую тока эмиттера ЭП, который должен превышать ток нагрузки в 2-3 раза IЭП-=(2-3)∙ IН. Отсюда сопротивление в цепи эмиттера ЭП составит RЭ= UП2 / IЭП- (16) Определяется мощность рассеивания на коллекторе транзистора PК =UКЭ· IК0, (17) где можно принять IК0≈ IЭП-. Выбирается бескорпусной БТ, у которого максимальная мощность рассеивания на коллекторе РК max больше, чем рассчитанная выше. По выходным характеристикам транзистора в рабочей точке (РТ) при UКЭ=UП1 определяем ток базы. Затем в этой же точке определяем коэффициент передачи тока базы h21Э= Δ IК / Δ IБ , и по входным характеристикам определяем входное сопротивление транзистора h11Э=Δ UБЭ /Δ IБ. Из входных характеристик определяем также постоянное напряжение база-эмиттер транзистора UБЭП-. Рассчитываем коэффициент передачи ЭП по формуле
где RНЭ=(RЭ ∙ RН)/(RЭ+RН) и входное сопротивление по переменному току RВХ ЭП~=h11Э+(h21Э+1)∙ RН Э Напряжение сигнала на входе ЭП должно составлять UВХ ЭП= UВЫХ/КU ЭП Переменный входной ток ЭП составляет
2 Затем рассчитывается ССУ (рис 5). Ток коллектора IК VT2C источника тока VT2C (он же ток эмиттера транзистора VT1C) должен примерно на порядок превышать амплитуду входного переменного тока ЭП IВХ Э~. Падение напряжения на резисторе R4С рекомендуется брать примерно 1/3 от напряжения питания UП2. Мощность рассеивания на коллекторе PК VT2C = UКЭ· IК VT2C. Выбираем транзистор, у которого РК max > PК VT2C. Из выходных характеристик в РТ определяется ток базы транзистора VT2С. А по входным характеристикам определяем постоянное напряжение база-эмиттер транзистора VT2С UБЭ- и h11Э VT1C. Напряжение UКЭ дифференциального каскада составляет примерно половину напряжения питания UП1. А напряжение между коллектором дифференциального усилителя и выходом ЭП (которое равно нулю) составляет 0, 5∙ UП1= UЭБ VT1С+ IЭ VT1С∙ R3С + UЭБ ЭП. Принимаем, что UЭБ VT1С= UЭБ VT2С. Тогда резистор R3С = (0, 5∙ UП1 - UЭБ VT1 -UЭБ ЭП)/ (IЭ VT1 + IБ ЭП) Коэффициент передачи схемы смещения равен коэффициенту передачи ЭП на транзисторе VT1C умноженному на коэффициент передачи цепочки R3С и RВХ ЭП. Считаем, что сопротивление источника тока транзистор (VT2C) равно бесконечности. Для определения коэффициента передачи ЭП на транзисторе VT1C находим h21Э, и h11Э.
где RНЭ=R3C+RВХ ЭП Если необходимо увеличить коэффициент передачи, то можно увеличить ток источника тока (VT2С), это приведет к уменьшению величины резистора R3С и, следовательно, возрастет KU СС. RВХ СС=h11Э +(h21Э +1)∙ RН Э Для того, что бы использовать один делитель напряжения R1С и R2С для источников тока схемы смещения и дифференциального каскада (см. схему рис. 8) берем напряжение на базе транзистора равным UБVT2C=(0, 6-0, 7)UП2. Тогда напряжение на резисторе R4C будет равно UR4C =UП2 - UБVT2C- UЭБ VT1С. Величина резистора в цепи эмиттера определяется R4С= UR4C/(IКVT2C +IБVT2С).
|