![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Оперативные запоминающие устройства
ОЗУ представляют собой устройства памяти с адресной организацией, поэтому обычно обозначаются RAM. Структурная схема типового ОЗУ приведена на рис.6.3. Информация в ОЗУ хранится в матрице, образуемой ячейками памяти (ЯП), расположенными вдоль строк и столбцов. ЯП могут быть статическими и динамическими, что и определяет вид ОЗУ - статические (SRAM) или динамические (DRAM).
Каждая ЯП имеет номер, называемый адресом ячейки. Для поиска требуемой ЯП указывается строка и столбец матрицы, на пересечении которых находится выбираемая ЯП. Адрес ЯП в виде двоичного кода принимаются по шине адреса ADR в регистр адреса. Число разрядов адреса определяется информационной емкостью ОЗУ. Числа строк и столбцов накопителя обычно выбираются равными целой степени двух. Если число строк Nстр = 2 n1 и число столбцов Nстолб = 2 n2, то общее число ЯП (емкость ОЗУ)
N = Nстр x Nстолб = 2 n1 x 2 n2 = 2 n1+n2
где n = n1 + n2 – число разрядов адреса, принимаемого в регистр адреса. Например, при емкости N = 210 = 1024 число разрядов адреса n =10; при этом, как правило, выбирается n1 = n2 = n /2 = 5, в этом случае число строк и столбцов накопителя равно 25 = 32. Разряды регистра адреса делятся на две группы: одна группа n1 разрядов определяет двоичный номер строки матрицы, в которой расположена ЯП, другая группа n2 разрядов определяет двоичный номер столбца, в котором расположена выбираемая ЯП. Каждая группа разрядов адреса подается на соответствующий дешифратор: дешифратор строк, формирующий стробы строк RAS (Row Access Strobe), и дешифратор столбцов, формирующий стробы столбцов CAS (Column Access Strobe). Любое обращение к ОЗУ включает выбор ЯП по ее адресу и затем чтение или запись в выбранную ЯП. При выборе ЯП каждый из дешифраторов формирует на одном из своих выходов уровень логической 1 (на остальных выходах дешифраторов устанавливается уровень лог. 0). Выбранная ЯП оказывается под воздействием уровней логической 1 одновременно по цепям строки и столбца, поэтому к ячейке становится возможен доступ. Далее возможны чтение из ЯП или запись в нее, что определяется соответственно значением сигнала на входе При чтении (сигнал Процессы записи или чтения происходят в том случае, если на входе выбора кристалла
Рассмотрим временные диаграммы сигналов ОЗУ в режимах чтения (рис.6.4) и записи (рис.6.5). При чтении (рис.6.4.) на выходе D0 ОЗУ появляется содержимое выбранной ЯП, которое имеет определенную задержку tзад1 относительно момента подачи адреса и сигнала на вход
В режиме записи (рис.6.5.) должны быть соблюдены условия, которые исключили бы нарушение содержимого ячеек, к которым не производится обращение. Это обеспечивается тем, что сигнал на вход ![]() ![]() ![]() ![]() ОЗУ большой емкости и разрядности хранимой информации создают из модулей ОЗУ меньшей емкости и разрядности. Например, для увеличения разрядности ЯП у нескольких модулей ОЗУ объединяют соответственно адресные входы, входы управления записью/чтением
|