Блок-схема и модификации БК

Трехэлементный экранированный зонд состоит из центрального электрода А₀ и двух близко расположенных фокусирующих электродов А₁ и А_2. Все эти электроды разделены изоляционными прокладками и питаются током одной полярности. Ток из А₀ распространяется в радиальном направлении, перпендикулярно к оси скв. Т.к. разность потенциалов между электродами= 0, то сила тока на оси скважин = 0. Точкой записи кажущегося сопротивления является середина электрода А_0.

Семиэлектродный зонд состоит из центрального токового электрода, двух пар следящих (измерительных) электродов M₁N₁ и M₂N₂ и одной пары фокусирующих (экранных) электродов А₁ и А₂. Три пары электродов замкнуты между собой и расположены симметрично относительно центрального электрода. Через центральный электрод пропускают ток силой I₀, сохраняемый постоянным по величине в процессе записи кривой ρ _к. Через экранные электроды пропускают ток, сила которого автоматически регулируется т.о., что разность потенциалов между электродами остается постоянной и равной нулю. Разность потенциалов измеряют между измерительными электродами зонда и электродом N, отнесенным в бесконечность. Точкой записи ρ _к является центральный электрод А₀. За длину зонда принимается расстояние между серединами интервалов M₁N₁ и M₂N₂, т.е. между точками О₁ и О₂. Расстояние между крайними, т.е. экранными электродами называется общим размером зонда.

Девятиэлектродный экранированный зонд применяется на практике в двух модификациях: нормализованным и псевдобоковым зондом. При расположении дополнительных экранных электродов B₁ и B₂ между основными экранными электродами А₁и А₂ и измерительными N₁ и N₂, получим нормализованный зонд бокового каротажа, радиус исследования которым резко увеличивается в пластах большой мощности. Псевдобоковой вариант получается, если два дополнительных экранных электрода B₁ и В₂располагаются с внешней стороны семиэлектродного зонда, симметрично относительно центрального электрода А₀. В результате распределения токовых линий центрального электрода, значительная часть потенциала будет падать близко от стенки скважин и значение разности потенциалов будет зависеть в от удельного сопротивления близлежащей к стенке скважины части пласта.

Схемы трехэлектродного (а), семиэлектродного (б), девятиэлектродного нормализованного (в), девятиэлектродного псевдобокового (г) зондов.