Главная страница Случайная страница
КАТЕГОРИИ:
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Статические вольт-амперные характеристики транзистора, включенные по схеме с общим эмиттером
|
|
Рассмотрим ВАХ pnp -транзистора в режиме ОЭ (рис. 6.13, 6.14).
| |
| Рис. 6.13. Выходные ВАХ ОЭ | Рис. 6.14. Входные ВАХ ОЭ |
Входные ВАХ.
Рекомбинационный ток базы составляет часть тока эмиттера:
| (6.36) |
При UКЭ =0 
. С увеличением напряжения UБЭ концентрация на переходе ЭБ растет (рис. 6.15, а), градиент концентрации инжектированных дырок растет, диффузионный ток дырок, как и в прямо смещенном pn -переходе, растет экспоненциально (т. А) и отличается от тока эмиттера только масштабом (6.36).
При обратных напряжениях на коллекторе и фиксированном напряжении на ЭП | UБЭ | (рис. 6.15, б) постоянной будет и концентрация дырок в базе вблизи эмиттера. Увеличение напряжения UКЭ будет сопровождаться расширением ОПЗ коллекторного перехода и уменьшением ширины базы (эффект Эрли) и, следовательно, уменьшением общего количества дырок, находящихся в базе.
 а
|  б
|
| UКЭ =const, UБЭ – переменное | UБЭ =const, UКЭ – переменное |
| Рис. 6.15 Распределение неосновных носителей в базе pnp -транзистора при включении в схеме с ОЭ |
При этом градиент концентрации дырок в базе будут расти, что приводит к дальнейшему уменьшению их концентрации. Поэтому число рекомбинаций электронов и дырок в базе в единицу времени уменьшается (возрастает коэффициент переноса 
). Так как электроны для рекомбинации приходят через базовый вывод, ток базы уменьшается и входные ВАХ смещаются вниз.
При UБЭ =0 и отрицательном напряжении на коллекторе (Uкб< < 0) ток через эмиттерный переход равен нулю, в базе транзистора концентрация дырок меньше равновесной, так как у КП эта концентрация равна нулю, а у ЭП ее величина определяется равновесным значением. Через коллекторный переход протекает ток экстрагированных из коллектора дырок IКЭ 0.
В базе, как и в pn -переходе при обратном смещении, процесс тепловой генерации будет преобладать над процессом рекомбинации. Генерированные электроны уходят из базы через базовый вывод, что означает наличие электрического тока, направленного в базу транзистора (т. В). Это – режим отсечки, он характеризуется сменой направления тока базы.