![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Подготовка приборов к работе
Лабораторная работа № 1 Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Учебные цели Расширить и углубить полученные на лекциях знания по параметрам и характеристикам полупроводниковых диодов в результате проведения их экспериментальных исследований и приобрести практические навыки по снятию вольт-амперных характеристик и измерению параметров полупроводниковых диодов с использованием типовой измерительной аппаратуры. Содержание работы 1. Снятие прямой ветви ВАХ полупроводниковых диодов. 2. Снятие обратной ветви ВАХ полупроводниковых диодов. Учебно-материальное обеспечение Лабораторное оборудование 1. Установка для исследования электронных приборов (УИЭП). 2. Мультиметр. 3. Германиевый и кремниевый полупроводниковые диоды.
Методические рекомендации и указания 1. Накануне лабораторной работы следует прибыть на кафедру и ознакомиться с образцом оформления отчета по данной работе. 2. Самостоятельно сделать предварительную " заготовку" отчета по лабораторной работе (тема, цель, содержание, лабораторное оборудование, таблицы и т.д.). 3. Отчет по лабораторной работе оформляется на двойном стандартном листе тетрадного формата. 4. Ознакомиться с контрольными вопросами и быть готовым к проверке теоретических знаний по теме данного занятия. Порядок выполнения работы
Для снятия и исследования характеристик полупроводниковых диодов (рис. 1.1) в данной лабораторной работе используется установка для исследования электронных приборов (УИЭП); мультиметр и панели с диодами.
Подготовка приборов к работе Исходное положение органов управления установки для исследования электронных приборов: тумблер ВКЛ – ВЫКЛ - в положении ВЫКЛ; ручки регулировки напряжения ГРУБО и ТОЧНО - в крайнем левом положении; к гнездам «V1» и «мА1» подключить мультиметры, обеспечивая требуемые режимы измерения параметров: соответственно гнезда «V» и «^» для измерения напряжения, а гнезда «А» и «^» для измерения тока.
1. Снятие прямой ветви ВАХ полупроводниковых диодов Схема исследования ВАХ полупроводниковых диодов представлена на рис.1.2. Установить согласно данной схеме панельку с германиевым диодом в разъем на лицевой панели УИЭП, а контактной колодкой «+» «-» обеспечить прямое включение диода.
Переключатель режимов работы мультиметра, подключенного к гнездам «V1», перевести в положение «20 V». Переключатель режимов работы мультиметра, подключенного к гнездам «мА1», перевести в положение «20 мА». Включить УИЭП и, изменяя ток в пределах от 0 до 10 мА ручкой ТОЧНО (а при необходимости и ручкой ГРУБО), производить измерения падения напряжения на диоде (рекомендуемые значения тока указаны в таблице 1.1). Результаты измерений занести в таблицу 1.1. Таблица 1.1
Заменить панельку с германиевым диодом на панельку с кремниевым диодом и повторить эксперимент. Результаты измерений также занести в таблицу 1.1.
|