ТБ памяти в едином BGA корпусе

Производство первых в мире устройств 64-слойной V-NAND флеш-памяти 4-го поколения

Ксения Матроскина

Google Plus

Samsung представила проект запуска решений в области флеш-памяти следующего поколения, которые будут удовлетворять постоянно растущий спрос крупных сетей передачи данных, облачных вычислений и анализа в режиме реального времени.

На мероприятии Flash Memory Summit 2016 Samsung представила технологию Vertical NAND (V-NAND) 4-го поколения и линейку высокопроизводительных и ёмких твердотельных накопителей (SSD), доступных для корпоративных пользователей. Одним из представителей линейки является накопитель Z-SSD — новое решение, демонстрирующее невероятную производительность, как для устройств хранения информации на основе флеш-технологии.

Ожидается, что новые флеш-устройства для хранения информации от Samsung внесут значительный вклад в развитие мировой IT-индустрии, а также удовлетворят растущие требования к современной среде вычислительных предприятий. Эти решения будут вмещать огромные объёмы данных и чрезвычайно быстро обрабатывать информацию. При этом показатели совокупной стоимости владения (TCO) для центров обработки данных будут улучшены.

4-е поколение технологии Samsung V-NAND содержит на 30% больше слоёв ячеек в сравнении с предшественником

Samsung представила четвёртое поколение 64-слойной V-NAND флеш-памяти с тройным уровнем ячеек, которая станет толчком для NAND-масштабирования, а также роста производительности и ёмкости. Благодаря 64 слоям ячеек новый V-NAND может увеличить ёмкость одной матрицы до наиболее выдающихся в индустрии 512 ГБ, а скорость ввода-вывода данных — до 800 Мб/с. Это укрепит лидирующие позиции технологий Samsung в трёхмерном проектировании структуры и производстве NAND ячеек. Начиная с августа 2013 года, Samsung представила три поколения «первых в индустрии» V-NAND устройств с 24-, 32- и 48-слойной технологией вертикального размещения ячеек.

Samsung планирует представить первые в мире устройства 4-ого поколения V-NAND флеш-памяти в четвёртом квартале этого года. Это позволит производителям создавать более быстрые, стильные и портативные вычислительные устройства, одновременно с этим предлагая своим пользователям более гибкую рабочую среду.

Самый ёмкий в мире накопитель — SAS SSD на 32 ТБ — для корпоративных систем хранения данных

Новый твердотельный накопитель Serial Attached SCSI (SAS) SSD от Samsung является наиболее ёмким накопителем в мире, созданным с использованием 512-гигабитных (Гб) V-NAND чипов. В общей сложности 512 V-NAND чипов размещены в 16 слоёв для формирования блоков ёмкостью 1 терабайт (ТБ). 32-терабайтный (ТБ) твердотельный накопитель содержит 32 упомянутых блока.

Благодаря конструкции 4-го поколения V-NAND твердотельный накопитель SAS SSD ёмкостью 32 ТБ может снизить требования к пространству до 40 раз в сравнении с системой аналогичного типа с применением двух жёстких дисков (HDD). Накопитель SAS SSD 32 ТБ будет создан в 2, 5-дюймовом форм-факторе, а его выпуск состоится в 2017 году. Samsung также предполагает, что благодаря последовательному улучшению технологии V-NAND твердотельные накопители ёмкостью более 100 ТБ будут доступны к 2020 году.

ТБ памяти в едином BGA корпусе

Твердотельный накопитель BGA SSD ёмкостью 1 ТБ от Samsung отличается невероятно компактной конструкцией BGA (Ball Grid Array) корпуса, который содержит все необходимые SSD компоненты. К ним относится V-NAND флеш-чипы с тройным уровнем расположения ячеек, мобильная LPDDR4 DRAM память, а также современный контроллер Samsung.

Всё это обеспечит невероятную производительность со скоростью последовательного чтения в 1, 500 МБ/с и последовательной записи в 900 МБ/с. Уменьшение размера корпуса на 50% в сравнении с предшественником позволило также уменьшить и его массу. Накопитель весит около одного грамма (меньше половины массы монеты в 10 центов США), что делает его идеальным компаньоном для ультракомпактных ноутбуков, планшетов и устройств-трансформеров.

В следующем году Samsung планирует представить накопитель BGA SSD 1 ТБ при помощи технологии создания конструкции высокой плотности под названием «FO-PLP (Fan-out Panel Level Packaging)», которую Samsung Electronics разработала совместно с Samsung Electro-Mechanics.

Новый «Z-SSD» разрывает границы производительности современных NAND флеш устройств для хранения данных

Samsung также создала высокопроизводительное SSD решение с ультранизким уровнем задержки под названием Z-SSD. Данное решение разделяет фундаментальную структуру V-NAND, а также отличается уникальным дизайном схемы и контроллером, который может максимизировать производительность. Новинка демонстрирует четырёхкратное снижение задержек и увеличение скорости последовательного чтения в 1, 6 раза в сравнении с твердотельным накопителем Samsung PM963 NVMe SSD.

Z-SSD будет применяться в системах, которые сталкиваются с чрезвычайно интенсивным анализом в режиме реального времени и испытывают необходимость расширить высокую производительность для всех типов рабочих нагрузок. Ожидается, что устройство будет выпущено в следующем году.