Студопедия

Главная страница Случайная страница

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Питання до іспиту

1. Поняття про електроніку як самостійну широко розгалужену сферу науки і техніки.

2. Електропровідність чистих і домішкових напівпровідників. Фізичні і електричні процеси у р-n-переході.

3. Пробиття р-n-переходу, його різновиди.

4. Типи діодів. Специфічні особливості потужних діодів. Характеристики і параметри діодів.

5. Паралельне і послідовне з'єднання випрямних діодів.

6. Напівпровідниковий стабілітрон. Найпростіший параметричний стабілізатор. Стабістори.

7. Варикапи.

8. Світлодіоди.

9. Побудова та принцип дії біполярного транзистора. Основні співвідношення, які характеризують його функціонування.

10. Схеми вмикання біполярного транзистора. Вхідні і вихідні вольт-амперні характеристики.

11. Схема заміщення транзистора у фізичних параметрах.

12. Біполярний транзистор як активний чотириполюсник. h-парамет-ри транзистора.

13. Технічні параметри біполярних транзисторів.

14. Різновиди польових (уніполярних) транзисторів, їх схемні позначення.

15. Принцип дії польового транзистора з керуючим p-n-переходом, його стокозатворні та стокові характеристики.

16. Принцип дії польового транзистора з ізольованим затвором. Диференціальні параметри й схеми вмикання польових транзисторів.

17. Умовні позначення, побудова, принцип дії, характеристики та параметри IGBT-транзисторів. Області застосування IGBT-транзисторів.

18. Різновиди тиристорів, їх умовні позначення. Принцип дії тиристора, двухтранзисторна модель тиристора.

19. Вольт-амперні характеристики та технічні параметри тиристорів.

20. Запирні тиристори (GTO-тиристори).

21. Напівпровідникові та гібридні інтегральні мікросхеми. Призначення і параметри інтегральних мікросхем.

22. Загальні відомості про підсилювачі та їх класифікація. Основні параметри і характеристики підсилювачів.

23. Питання узгодження підсилювачів.

24. Практичні схеми підсилюючих каскадів зі спільним емітером, спільною базою та спільним колектором.

25. Складений емітерний повторювач: схема Дарлінгтона і схема Шіклаі.

26. Підсилювачі постійного струму з безпосередніми зв’язками. Дрейф нуля.

27. Диференційні підсилювачі. Поняття про синфазний сигнал.

28. Режими роботи підсилювачів класів A, B, AB, C і D. Двотактні підсилювачі.

29. Цифрові підсилювачі.

30. Принципи зворотного зв’язку.

31. Операційні підсилювачі. Основні схеми вмикання: інвертуючий підсилювач, неінвертуючий підсилювач, підсилювач змінного струму, інтегратор, диференціатор.

32. Параметри ідеального операційного підсилювача. Характеристики операційних підсилювачів.

33. Особливості імпульсного засобу передачі інформації. Форма і параметри імпульсів. Параметри послідовності імпульсів. Реальний імпульс напруги прямокутної форми.

34. Ключовий режим роботи біполярного транзистора. Ключі на МОН-транзисторах.

35. Релаксаційні схеми з насиченими транзисторами.

36. Найпростіші логічні елементи. Основні типи логіки.

37. Транзисторно-транзисторна логіка. Багатоемітерний транзистор.

38. Логічні елементи на комплементарних МОН-транзисторах.

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
уч. год | для бакалавров
Поделиться с друзьями:

mylektsii.su - Мои Лекции - 2015-2024 год. (0.007 сек.)Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав Пожаловаться на материал