Элементы физического синтеза.

Выбор типа микросхем, на этапе физического синтеза осуществляют соблюдая требования предъявляемые к ДУ, и отдельно к интегральной микросхеме. В свою очередь электрические параметры микросхемы установлены рядом Государственных стандартов Российской Федерации: ГОСТ 19480-74; ГОСТ 18683-73; ГОСТ 19799-74; ГОСТ 22565-77.

Для физического синтеза разрабатываемого ДУ мною была выбрана серия микросхем К553. Это наиболее популярная в нашей стране серия микросхем. Она содержит широкий выбор логических элементов. Основной логической схемой серии является схема И-НЕ, она представлена микросхемами с различным числом секций и количествами входов.

Серия К553 базируется на транзисторно-транзисторном типе логики. После разработки многоэмитерного транзистора был выпущен широкий ряд серий интегральных схем ТТЛ. Многоэмитерный транзистор представляет собой интегральный элемент, объединяющий преимущества диодных логических схем и транзисторного усилителя. Это остроумное схемное решение и породило новый класс двухступенчатой логики ТТЛ, пришедшей на замену Диодно-Транзисторной логике (ДТЛ). Благодаря МЭТ можно получить большой коэффициент объединения по входу, без особых технологических затрат. В обыкновенном микротранзисторе можно сделать сколько угодно эмиттеров, их число и определит количество входов, а на стоимость микросхемы это практически не повлияет. Это важно т.к. для физического синтеза моего замка понадобятся 4^х- входовые элементы И-НЕ.

Повторяя структуру диодно-транзисторных ИС, транзисторно-транзисторные схемы значительно увеличить быстродействие (t_ср=3-10нс), повысить уровень помехозащищенности (U_п ³ 0, 7В), снизить потребляемую мощность (по сравнению ДТЛ-ИС), а также увеличить функциональную сложность интегральной схемы. Коэффициент объединения по входам И m_И³ 12-14, а коэффициент объединения по входам ИЛИ m_ИЛИ=8-10. Выходные усилители ТТЛ-схем обеспечивают высокую нагрузочную способность базовой схемы (n_э³ 10) при значительных нагрузочных емкостях (C_н ³ 100 пФ).Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации в диапазоне температур –45…+70 С.

1.Максимальное напряжение источника питания 6 В

2.Минимальное напряжение на входе микросхемы 0.4 В

3.Максимальное напряжение на входе микросхемы и между эмиттером -5.5 В

4.Минимальное напряжение на выходе микросхемы -0.3 В

5.Максимальное напряжение на выходе закрытой микросхемы 5.25 В

6.Максимальный входной вытекающий ток, при котором напряжение блокировки антизвонных диодов не менее -1.5 В -10 мА

Вывод:

Из выше всего изложенного можно сделать вывод, что пакет PROEKT уступает ручному методу синтеза. Алгоритм минимизации прост: сравнивается первая строка с последующими, и, если возможно объединение, то он объединяет. И так далее. Дальше все подчиняется железной табличной логике. Т. е. если б минимизация строк у нас была одинакова, то вполне уверенно можно было бы сказать что, результат будет близок к результату машинного решения.

В итоге получили что, мною проделанная работа намного превосходит машинное.

Но это вовсе не говорит о том, что можно отказаться от машинного синтеза, я считаю, что будет вполне оправдано сочетание этих двух методов.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Т.И.Коган «Дискретные устройства (Автоматы). Конспект лекций" ч. I, II. ПВВКИУ 1985г.

2. Б.М.Гуревич " Справочник по электронике для молодого рабочего".

Высшая Школа 1987г.