Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы, математические модели которых встроены в программу PSpice, описываются большим количеством параметров, задаваемых с помощью директивы.MODEL. Перечень и смысл этих параметров подробно объясняются в [7]. Директиву.MODEL можно поместить в описание анализируемой схемы или в файл библиотеки, доступ к которому осуществляется с помощью директивы.LIB. Описание конкретного полупроводникового прибора содержит его имя, номера узлов подключения, имя модели и коэффициент кратности Area, с помощью которого имитируется параллельное включение нескольких одинаковых приборов.

Диод описывается предложением

Dxxx < узел анода> < узел катода> < имя модели> + [< коэффициент кратности Аrеа> ]

Модель диода задается в виде

.MODEL < имя модели> D[(параметры модели)}

Пример 1. Включим между узлами 1 и 2 диод DB, параметры которого вводятся с помощью директивы.MODEL:

D1 12 D9B

.MODEL D9B D(IS=5UA RS=14 BV=2.81 IBV=5UA)

Пример 2. Включим между узлами 1 и 2 диод D104A, параметры которого записаны в библиотечном файле d.lib

D1 1 2D104A.LIB D.LIB

Биполярный транзистор описывается предложением

Qxxx < узел коллектора> < узел базы> < узел эмиттера>

+ [< узел подложки> ] < имя модели> [< коэффициент кратности Агеа> ]

Модели биполярных транзисторов задаются в виде

.MODEL < имя модели> NPN [(параметры модели)}

.MODEL < имя модели> PNP [(параметры модели)}

.MODEL < имя модели> LPNP[(napaMempbt модели)]

Статически индуцированный биполярный транзистор описывается предложением

Zxxx < узел коллектора> < узел затвора> < узел эмиттера> + < имя модели> [АRЕА=< значение> ] [WB-< значение> ] + [АGD=< значение> ] [КР=< значение> ] [ТАU=< значение> ]

Назначение необязательных параметров AREA, WB, AGD, КР и TAU указано в [7]. Модели статически индуцированных биполярных транзисторов задаются в виде

.MODEL < имя модели> NIGBT [(параметры модели)]

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом описывается предложением

Зххх< узел стока> < узел затвора> < узел истока> < имя модели> + [< коэффициент кратности Агеа> ]

Модели полевых транзисторов задаются в виде

.MODEL < имя модели> NJF [(параметры модели)]

.MODEL < имя модели> PJF [(параметры модели)]

Арсенид-галлиевый полевой транзистор с управляющим р-я-переходом и каналом n-типа описывается предложением

Еххх < узел стока> < узел затеораХузел истока> < имя модели> + [< коэффициент кратности Агеа> ]

Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора задается в виде.MODEL < имя модели> GASFET [(параметры модели)] МОП-транзистор описывается предложением

Mxxx < узел стокаХузел затеораХузел истока> < узел подложки> + < имя модели>

+ [L=< значение> ] [W=< значение> ] [АD=< значение> ] [АS=< значение> ]

+ [PD=< значение> ] [PS=< значение> ] [NRD=< значение> ] [NRS=< значение> ]

+ [NRG=< значение> ] [NRB=< значение> ] [М=< значение> ]

Необязательные параметры приведены в табл. 4.24.

Параметры L и W могут быть заданы при описании модели МОП-транзистора по директиве.MODEL; кроме того, параметры L, W, AD и AS по умолчанию принимают значения, присваиваемые по директиве.OPTIONS (см. разд. 4.1).

Модели МОП-транзисторов задаются в виде

.MODEL < имя модели> NMOS[(параметры модели)]

.MODEL < имя модели> РMOS[(параметры модели)]

Таблица 4.24. Необязательные параметры модели МОП-транзистора