Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Исследование зависимости сопротивления металлов от температуры
Приборы и принадлежности: печь (плитка), металлический проводник, термометр, термопара. Цель работы: изучить температурную зависимость сопротивления металлов, полупроводникового термистора; определить термический коэффициент сопротивления меди и энергию активации в полупроводнике.
Теоретическое введение Электрическое сопротивление проводников зависит от температуры. У металлов оно возрастает при нагревании, у электролитов – при охлаждении. Зависимость сопротивления металлов от температуры можно выразить соотношением: (1) где R0 и Rt – значения сопротивления соответственно при 00 C и при температуре t; a и b – константы, характерные для данного металла. Приближенно выражение (1) можно записать: (2) Если в исследованном диапазоне температур коэффициент a – величина постоянная, то формула (2) представляет собой уравнение прямой в координатах Rt и t (рис.1). По тангенсу угла ее наклона к оси абсцисс можно определить коэффициент a, называемый термическим коэффициентом сопротивления. (3) Опыт показывает (и это хорошо согласуется с теорией), что проводимость полупроводника изменяется с температурой по экспоненциальному закону: (4) где sт – удельная электропроводность при данной температуре; s0 – некоторая постоянная для данного полупроводника; DW – энергия активации, равная работе переброса электронов в зону проводимости (или на акцепторный уровень); k – постоянная Больцмана.
R R2
R1
R0
0 t1 t2 t Рисунок 1
С повышением температуры полупроводника увеличивается число валентных электронов, переброшенных в зону проводимости (или на акцепторные уровни). Этим и объясняется возрастание электропроводности полупроводников с температурой. Для полупроводника, имеющего форму цилиндра или призмы, величина сопротивления при данной температуре записывается в виде: (5) где rт – удельное сопротивление, – расстояние между электродами, S – площадь поперечного сечения. Поскольку то или, учитывая (4) (6) Так как – величина, постоянная для данного образца, то выражение (5) можно записать в виде: (7) Логарифмируя (7), получим: (8)
Эта формула представляет собой уравнение прямой в координатах и (рис.2). По тангенсу угла ее наклона к оси абсцисс можно найти : (9) Однако в некоторых случаях линейная зависимость при достижении определенной температуры нарушается, что свидетельствует об изменении характера проводимости полупроводника. Электропроводность электролитов, как известно, может быть выражена формулой: где F – число Фарадея, n – эквивалентная концентрация, a0 – степень диссоциации, U+ и U- – подвижности положительных и отрицательных ионов.
ln RT
ln R2
ln R1
) a 0 Рисунок 2 Так как степень диссоциации a 0 зависит от концентрации раствора, причем эта зависимость не является монотонной, то и электропроводность является функцией концентрации. Зависимость s = f(n) имеет сложный характер. При постоянной концентрации степень диссоциации и подвижности ионов возрастает с увеличением температуры. Следовательно, электропроводность электролитов увеличивается с температурой, а сопротивление уменьшается.
|