Главная страница Случайная страница
КАТЕГОРИИ:
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Схема исследования
|
|
Упрощенная схема измерения параметров биполярного транзистора в зависимости от частоты для схемы ОБ представлена на рисунке 3.1. Питание схемы осуществляется от регулируемых источников постоянного напряжения G1 и G2. Режим транзистора по постоянному току задается входным током IЭ0 (IБ0 для схемы ОЭ), измеряемым миллиамперметром рА1, и напряжением на коллекторе, которое измеряется вольтметром рV2. Миллиамперметр рА2 измеряет постоянный ток коллектора.
Для измерения параметров Н21 и Н11 транзистора в его входную цепь подается синусоидальное напряжение UG1~ от генератора G~. С помощью вольтметра переменного тока рV1~ производится измерение падения напряжения на измерительных резисторах R1 и R2. Зная величину этих сопротивлений, можно определить переменные составляющие входного и выходного токов транзистора.
Рисунок 3.1- Схема для измерения Н- параметров БТ в зависимости от частоты.
, (1) I2= 
. (2)
Тогда модуль коэффициента передачи тока транзистора
½ H21Б½ = 
× 
. (3)
Измерив входное напряжение U1, определим входное сопротивление
½ Н11Б½ = 
× 
. (4)
Производя измерение коэффициента передачи тока транзистора и входного сопротивления на различных частотах, получим зависимости
½ H21Б½ = 
=F(f) и ½ Н11Б½ =F(f).
Для измерения параметров ½ Н21Б½ =½ a½ и ½ Н11Б½ в схеме с общей базой используется R1=100 Ом, а для измерения параметров ½ Н21Э½ =½ b½ и ½ Н11Э½ в схеме с общим эмиттером R1=1000 Ом
Для удобства измерений напряжений U1, U2, UR1 и UR2 вольтметр pV1~ подключается к необходимым точкам схемы с помощью кнопочного переключателя (чтобы не усложнять схему, на рисунке 3.1 он не показан).
Измерение фазового угла коэффициента передачи тока транзистора производится с помощью осциллографа. На вход Y осциллографа подается напряжение UВХ. На вход Х осциллографа подается напряжение с коллектора транзистора (гнездо К). При этом в общем случае для произвольного сдвига фаз j между входным и выходным токами на экране осциллографа получается изображение в виде эллипса (рисунок 3.2).
Рисунок 3.2 - К определению угла фазового сдвига.
Сдвиг фаз определяется из выражения
. (7)