![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Фоторезисторы. Фотоэлектронные приборыСтр 1 из 6Следующая ⇒
Фотоэлектронные приборы Фотоэлектронными называются полупроводниковые приборы, предназначенные для преобразования энергии электромагнитного излучения в электрическую энергию. Диапазон волн, в котором работают полупроводниковые приборы, простирается от 0, 2 до 20 мкм. Они подразделяются на приемники лучистой энергии, фотогальванические элементы и индикаторные приборы. К первой группе относятся: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры, ко второй – полупроводниковые элементы, в том числе солнечные батареи, к третьей – светодиоды, электролюминисцентные конденсаторы и ряд других.
Фоторезисторы
Это полупроводниковые приборы, электрическое сопротивление которых изменяется под действием светового потока. В этих приборах используется фоторезистивный эффект, т.е. изменение электрического сопротивления полупроводника, не связанное с его нагреванием. Изготавливается фоторезистор из прессованного порошка полупроводникового материала или же полупроводниковый материал напыляется на диэлектрическую подложку. Затем методом напыления получают контактные площадки, которые соединяются с внешними выводами. Рабочая площадь фоторезистора находится в пределах 0, 5 … 30 мм2. Материал для их изготовления берется из группы АII ВVI (CdS, CdSe) или группы АIV ВVI (PbSe, PbS). Основными характеристиками фоторезисторов являются: вольт-амперная, энергетическая и спектральная рис. 6.1, а, б, в соответственно. На рис. 6.1, в кривая 1соответствует соединению CdS, 2 – CdSе, 3 – PbS, 4 –PbSe.
Рис. 6.1 К параметрам фоторезистора относятся: токовая чувствительность SI = =I ф /Ф, монохроматическая S λ = I Ф/Фλ и удельная интегральная чувствительность S ф.инт.уд. = I ф / Ф U, темновое сопротивление RT при Ф = 0, граничная частота, температурный коэффициент фототока
|