Студопедия

Главная страница Случайная страница

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






В схеме, показанной на рисунке 2, входной ток






 

,

 

,

 

Так как транзисторы VT 1 и VT 2 одинаковы и напряжения U БЭ у них тоже одинаковы, то можно записать

 

,

 

,

 

.

 

Из полученных выражений

 

. Считая, что (Это вполне оправдано, т.к. h 21Э транзисторов достаточно большой, а токи близки по своим значениям), получим:

 

.

 

Задание

 

Построить графики I ВЫХ(R Н) и d (R Н) для схем показанных на рисунках 3 и 4, где %. Определить максимальное значение сопротивления нагрузки для вышеуказанных схем, при котором значение выходного тока токового зеркала отличается не более чем на 5 процентов от входного тока, и указать эту точку на графиках. Сопротивление нагрузки изменять от R Н = 0 до R Н = 1, 5 R 1.

 
 

 


Рис. 3. Схема для исследования токового зеркала на двух биполярных транзисторах

 

 
 

 


Рис. 4. Схема для исследования токового зеркала на трёх биполярных транзисторах

Таблица 1

Вар.    
U П, В    
R 1, кОм 1, 4 1, 7

 

  0.42 0.84 1, 4 1.68
Iвых 9, 74 9, 74 9, 74 9, 74 8, 88
, % 3, 5 3, 5 3, 5 3, 5  

 

 

Продолжение таблицы 1

Контрольные вопросы

 

  1. Укажите область применения токовых зеркал.
  2. Сделайте математическое описание простейшего токового зеркала на двух транзисторах.
  3. Сделайте математическое описание токового зеркала на трёх транзисторах.
  4. Укажите главную особенность построенных Вами графиков I ВЫХ(R Н) и d (R Н).

Поделиться с друзьями:

mylektsii.su - Мои Лекции - 2015-2024 год. (0.007 сек.)Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав Пожаловаться на материал