Теоретическая и реальная прочности кристаллов на сдвиг

Долгое время считалось, что такое сдвигообразование происходит путем жесткого смещения одной части кристалла относительно другой одновременно по всей плоскости скольжения SS

В неискаженной решетке атомы двух соседних параллельных

плоскостей занимают положения равновесия, отвечающие минимуму

потенциальной энергии (а). Силы взаимодействия между

ними равны нулю. При постепенном смещении одной атомной плос-

кости относительно другой возникают касательные напряжения т,

препятствующие сдвигу и стремящиеся восстановить нарушенное

равновесие (б). Принимая для этих напряжений синусои-

дальный закон изменения с величиной смещения, сопро-

тивление сдвигу можно выразить следующим образом:

где х – смещение атомов от положения равновесия, b = а – расстояние

между атомами в плоскости скольжения, А – постоянная.

Для малых смещений

С другой стороны, для малых смещений справедлив закон Гука:

Где G – модуль сдвига, d – расстояние между плоскостями

При х = b/4 касательное напряжение τ достигает максимального зна-

чения τ к, которое и принимается за теоретическую прочность:

Полагая b = d, найдем

Понятие о дислокациях. Основные типы дислокаций

Дислокационная теория пластического течения исходит из

предположения, что процесс скольжения начинается всегда в местах

нарушения структуры кристалла и распространяется по плоскости

сдвига путем последовательного перемещения этого искажения,

охватывающего в каждый момент лишь относительно небольшое ко-

личество атомов. Искажения такого рода называются дислокациями.

Рассмотрим основные типы дислокаций.