Каково разрешение растрового микроскопа в отраженных электронах?

Для чего предназначен генератор сканирования в растровой электронной микроскопии?

Генератор сканирования управляет отклоняющими катушками, осуществляя этим построчное сканирование поверхности образца и синхронно с зондом управляет отклонением пучка электронов в электронно-лучевой трубке монитора.

Какие виды сигналов регистрируют детекторы в методах растровой электронной микроскопии?

Детекторы фиксируют следующие сигналы-ответы: отраженные электроны, вторичные электроны, рентгеновское характеристическое излучение и Оже электроны.

Для чего предназначены отклоняющие катушки в растровой электронной микроскопии?

Отклоняющие катушки объединенные в две пары обеспечивают отклонение пучка-зонда в двух взаимно перпендикулярных направлениях (X и Y), осуществляя тем самым построчное сканирование поверхности образца. [1296 стр130]

От чего зависит разрешение растрового электронного микроскопа?

Разрешение РЭМ зависит от сечения зонда и видом сигнала, используемого для получения изображения, то есть предельное разрешение может ограничиваться 1) работой электронно-оптической системы в приборе, 2) контрастом, создаваемым образцом и детекторной системой, 3) областью генерации сигнала.

Чем определяется увеличение растрового электронного микроскопа?

Увеличение изображения зависит: 1) от масштаба изображения на экране ЭЛТ, 2) от тока в отклоняющих катушках.

На экране ЭЛТ высокого разрешения минимальный диаметр пятная составляет 0, 1мм, что примерно соответствует разрешению глаза. Диаметр соответствующего элемента изображения d (мкм) на образце определяет полезное увеличение Mпол=100(мкм)/d(мкм)

Чем вторичные электроны отличаются от отраженных? Какова энергия отраженных электронов?

Отраженные электроны – часть электронов с энергией Е₀ (Е₀ - энергия первичных электронов 30-50 кэВ) рассеянная на угол более 90° выходящая в сторону падающего пучка. Электроны рассеяны упруго т.е. энергия не меняется.

Вторичные электроны – электроны эмитируемые поверхностью образца.

Различия: 1) Отраженные электроны рассеяны упруго (кинетическая энергия не меняется Еоэ = Е0), вторичные – неупруго (потери > 40% энергии); 2) Интенсивность ОЭ зависит от атомного номера образца, в то время как ВЭ мало зависит от атомного номера. 3) Эмиссия ОЭ происходит с глубины 10-100нм, а эмиссия ВЭ с 1-10нм. [стр57 книга]

Каково разрешение растрового микроскопа в отраженных электронах?

Минимальный размер «точки», от которой регистрируется сигнал, около 15d0. Такова же величина лучшего разрешения изображения в ОЭ. Около 1000А. [КРЭМ с556]