![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Емкости p-n перехода.
Потенциальный барьер перехода образован неподвижными зарядами, т е положительными и отрицательными ионами, которые составляют емкость, называемой барьерной и обозначается Сб при изменении Uобр меняется толщина p-n перехода, а, следовательно, и Сб. Вообще Сб определятся: 1) Площадью p-n перехода; 2) Концентрацией носителей заряда; 3) Диэлектрической проницаемостью материала п/п. Чем меньше Uобр, тем меньше толщина перехода, ближе ионы и выше Сб. т. е. p-n переход можно использовать, как емкость, управляемую Uобр: Где qб – объемный заряд равновесных носителей (Рис. 15). При Uпр p-n переход кроме Сб обладает диффузионной емкостью Сдиф, которое обусловлено накоплением подвижных носителей заряда в n и р областях, т е при Uпр основные носители в большом количестве диффундируют через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в n и p областях. Каждому значению Uпр соответствует определенно накопленный неравновесный заряд qдиф, тогда Однако, как Сдиф, так и Сб не оказывают существенного влияния на работу p-n перехода, т к они всегда зашунтированы малым прямым сопротивлением перехода. (Рис 15).
|