![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Встречно - штыревой преобразовательСтр 1 из 3Следующая ⇒
ЛЕКЦИЯ 3 Линии задержки на ПАВ План 1 Свойства поверхностных акустических волн 2 Элементы акустического тракта 3 Линии задержки на ПАВ Свойства поверхностных акустических волн - Поверхностные акустические волны – это упругие возмущения, распространяющиеся в тонком приповерхностном слое твердого тела - В акустоэлектронных устройствах поверхностная волна распространяется по поверхности звукопровода из пьезоэлектрика. - Амплитуда ПАВ экспоненциально убывает с глубиной – 90 % переносимой энергии сосредоточено в слое глубиной не более одной длины волны; - ПАВ имеют невысокую скорость распространения (Vп =1000...4000 м/с, что на пять порядков меньше скорости света); - Распространение ПАВ происходит без дисперсии и затухания до частот 1…1, 5 ГГц; - При распространении в кристаллах характеристики ПАВ зависят от направления распространения относительно кристаллографических осей; - На величину затухания ПАВ влияет шероховатость поверхности звукопровода (размер неровностей не должен превышать одной сотой от длины волны), его омическое сопротивление, давление окружающей газовой среды и т.д. - Наличие на поверхности пьезоэлектрика проводящих пленок вызывает дисперсию, частичное отражение ПАВ и изменение ее скорости. Величина дисперсии пропорциональна толщине пленки и частоте колебаний; - Взаимодействие ПАВ с различными планарными структурами на поверхности звукопровода позволяет управлять характеристиками ПАВ и создавать различные устройства обработки сигналов, используя технологию интегральных микросхем. Достоинства устройств на ПАВ: - Планарная конструкция устройств на ПАВ сопрягается с конструкцией гибридных микросхем; - Технология изготовления устройств на ПАВ совместима с технологией микросхем; - Высокая повторяемость процессов литографии обеспечивает высокую повторяемость характеристик устройств на ПАВ при их массовом выпуске. Элементы акустического тракта Встречно - штыревой преобразователь Характеристики встречно – штыревого преобразователя - Двухфазный преобразователь (встречно – штыревой преобразователь – ВШП) представляет собой две группы тонкопленочных электродов размещенных на поверхности пьезоэлектрического звукопровода. - Каждая из групп объединена шинами, которые соединяют электроды с источником напряжения сигнала или с нагрузкой. f0 = Vп / 2hэл; hэл =λ п /2; ∆ f = 1/T = Vп / L = Vп /Nλ п = f0 / N; ∆ f = f0 / N – полоса пропускания по уровню 0, 707H(f0). N – число пар электродов - Максимальное значение перекрытия преобразователя называется апертурой преобразователя. - У неаподизованного преобразователя значение перекрытия электродов одинаковое (W = Wi), - У аподизованного – изменяется вдоль протяженности преобразователя. - Форма импульсного отклика ВШП зависит от закона изменения перекрытия электродов вдоль его протяженности. - Преобразователь с постоянным шагом электродов называется эквидистантным. - Преобразователь, шаг электродов у которого изменяется, называется неэквидистантным. - Преобразователь является частотно – избирательным элементом. - Его амплитудно – частотная характеристика имеет максимум на частоте акустического синхронизма f 0. - Амплитудно – частотная характеристика одиночного ВШП описывается выражением
где N – число пар электродов; A – амплитуда волны, возбуждаемая парой соседних электродов. Характеристики встречно – штыревого преобразователя
f0 = Vп / 2hэл; hэл =λ п /2; ∆ f = 1/T = Vп / L = Vп /Nλ п = f0 / N; ∆ f = f0 / N – полоса пропускания по уровню 0, 707H(f0). N – число пар электродов. - Преобразователь является частотно – избирательным элементом.
|