Перечень лабораторного оборудования и оргтехники, используемых при проведении лабораторного практикума

При проведении лабораторного практикума используется дисплейный класс кафедры (10 ПЭВМ типа Pentium 4), а так же стенды и установки для исследования

• характеристик цифровых микросхем
• характеристик аналоговых микросхем
• работы простейших логических элементов

Перечень оборудования на каждой установке приводится в описаниях к лабораторным работам [6].

Комплект заданий для самостоятельной работы, тематика рефератов по дисциплине

Самостоятельная работа по дисциплине организуется следующим образом:

• выполнение домашних расчетных или расчетно-аналитических заданий, приведенных в учебных пособиях [4, 7, 12] или выдаваемых преподавателем индивидуально.
• Написание реферата. Примерная тематика рефератов приведена ниже. При подготовке реферата рекомендуется использовать современную периодическую литературу и специализированные сайты Интернет.

Примерная тематика рефератов:

• История развития кремниевых интегральных микросхем;
• Перспективы и современное состояние биоэлектроники;
• Закон Мура. Что дальше?
• Сравнительная характеристика гибридных и интегральных микросхем;
• Современные интегральные устройства регистрации изображения;
• Пьезоэффект и его сферы его применения.

Комплект контрольно-измерительных материалов для текущего, промежуточного и итогового контроля

Контроль знаний студентов на всех этапах осуществляется путем компьютерного тестирования. Выдаваемый каждому студенту индивидуальный тест включает 10 заданий по каждому модулю и генерируется с помощью специальной программы. Время проведения тестирования рассчитывается исходя из двух минут на одно задание. Пример контрольного теста приведен ниже.

Вариант теста для программированного контроля знаний студентов

Плотность упаковки ИМС это –

1. отношение числа элементов к объему микросхемы без учета выводов

2. число элементов или простых компонентов на кристалле микросхемы

3. число функциональных ячеек в кристалле

4. отношение числа элементов к числу функциональных ячеек в кристалле

В какой из перечисленных микросхем все элементы выполнены в объеме кристалла полупроводника

1. тонкопленочной

2. гибридной

3. полупроводниковой

В отличие от аналоговых, цифровые ИМС

1. обрабатывают сигналы, описываемые непрерывными функциями

2. предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции

3. выполнены по тонкопленочной технологии

Наличие паразитного p-n-p транзистора приводит к

1. увеличению коэффициента передачи по току основного транзистора

2. уменьшению базового тока основного транзистора

3. увеличению коэффициента инжекции эмиттера

Какое свойство арсенида галлия не позволяет создавать на его основе МДП транзисторы?

1. высокая подвижность электронов

2. малая критическая напряженность электрического поля

3. высокое значение плотности поверхностных состояний

Области p⁺ типа, формируемые под изолирующими областями в транзисторе с комбинированной изоляцией, необходимы для

1. улучшения частотных свойств транзистора

2. предотвращения возникновения проводящего канала между отдельными элементами ИМС

3. увеличения напряжения пробоя эмиттерного перехода транзистора

Горизонтальный p-n-p транзистор в отличие от вертикального транзистора структуры n-p-n:

1. обладает внутренним электрическим полем в базовой области

2. обладает более высоким значением коэффициента передачи по току

3. является бездрейфовым

П–образная форма канала МДП транзисторов при проектировании ИМС используется с целью

1. экономии площади

2. увеличения быстродействия

3. увеличения подвижности носителей в канале

Базовый элемент (инвертор) ИМС на основе комплементарной пары транзисторов выполнен из

1. МДП транзистора с индуцированным каналом р-типа и МДП транзистора со встроенным каналом n-типа

2. двух МДП транзисторов с индуцированными каналами n- и р- типа

3. двух МДП транзисторов с индуцированным каналом n-типа

На стоковых ВАХ МДП транзисторов с коротким каналом, по сравнению с ВАХ обычных МДП транзисторов:

1. меньше значения напряжения насыщения

2. на участке насыщения наблюдается более резкий рост тока стока

3. напряжения сток-исток, при которых еще сохраняется участок насыщения ВАХ, существенно выше

При проведении итогового контроля экзамен может так же проводиться в устной или письменной форме. Комплекты экзаменационных билетов приведены в приложении.