![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Основы электронной и измерительной техники
Особенности метода замещения: В)измерения проводятся одним и тем же прибором, в одинаковых внешних условиях С)поочередно измеряются прибором искомая величина и выходной сигнал меры, однородный с измеряемой величиной Д)по результатом поочередных измерения вычисляется искомая величина Особенности метода замещения: В)измерения проводятся одним и тем же прибором, в одинаковых внешних условиях С)поочередно измеряются прибором искомая величина и выходной сигнал меры, однородный с измеряемой величиной Д)по результатом поочередных измерения вычисляется искомая величина Отрицательная обратная связь в усилителях используется: C) для увеличения динамического диапазона усиления E) для стабилизации полученного сигнала F) для уменьшения помех и искажений Отрицательная обратная связь в усилителях используется: А) для уменьшения помех и искажении D) для стабилизации полученного сигнала Е) для увеличения динамического диапазона усиления По степени условной независимости от других величин данной группы физические величины делятся на: А)производные, условно-зависимыеД)основные, условно – независимые Е)дополнительные По степени условной независимости от других величин данной группы физические величины делятся на: А)производные, условно-зависимыеД)основные, условно – независимые Е)дополнительные Поле объемного заряда в ОПЗ (область пространственного заряда п-р переход образуется: нескомпенсированными зарядами донорных и акцепторных примесей из двух разноимённо заряженных слоёв равновесное состояние (при этом есть небольшой ток основных носителей из-за диффузии, и ток неосновных носителей под действием контактного поля, эти токи компенсируют друг друга) Полупроводниковый стабилитрон-это полупроводниковый диод, напряжения на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для: А) для поддержания постоянных напряжений на обратном участке ВАХ Полупроводниковый стабилитрон-это полупроводниковый диод, напряжения на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для: А) для поддержания постоянных напряжений на обратном участке ВАХ При настройке нуля выхода ОУ, требуется задавать на входе напряжение смещения, причины: С) из-за разбаланса внутри схемы ОУ При увеличении R2, коэффициент усиления изменяется следующим образом: начальные значения тока базы увеличатся увеличится смещение рабочей точки транзистора ток базы начнет возрастать При увеличении Rr/коэффициент усиления изменяется следующим образом: увеличится коэффициент усиления Ки> 0 коэффициент усиления увеличится по току, по наряжению и по мощности При увеличении Rvкоэффициент усиления изменяется следующим образом: ток базы уменьшится уменьшится смещение рабочей точки транзистора начальное значение входного тока уменьшится При увеличении емкостей Ср1 и Ср2 коэффициент усиления изменяется следующим образом: увеличится в области нижних частот коэффициент усиления Кр увеличится Прибор, имеющий 2 взаимодействующих р-nперехода: преобразователь сопротивления биполярный транзистор Прибор, имеющий обратную ветвь вольтамперной характеристики, применяется для регулирования частоты вращения: B)имеет на ВАХ два участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением C)симистор Приборы, применяемые для гальванической развязки сигнальных цепей или цепей с малым током коммутации: C) оптоэлектронное устройство E) оптроны Приборы, применяемые для гальванической развязки сигнальных цепей или цепей с малым током коммутации: Е) оптопара F) оптоэлектронное устройство Причины разбаланса операционного усилителя ОУ: А) нестабильность источников питания Пробойр-n перехода(Durchbruch des pn-Uberganges, Breakdown of a P-N junctHon): лавинообразный процесс тепловой пробой Программно-управляемое устройство, непосредственно осуществляющее процесс управления и обработки цифровой информации, отвечающее за выполнение арифметических, логических операции и операции управления, записанных в машинном коде, изготовленное по БИС-технологии: А) программируемый логический контроллерD) микропроцессорное устройство F) центральное процессорное устройство Программно-управляемое устройство, непосредственно осуществляющее процесс управления и обработки цифровой информации, отвечающее за выполнение арифметических, логических операций и операций управления, записанных в машинном коде, изготовленное по БИС-технологии: A) микропроцессорное устройство Процесс, когда напряжение на затворе становится положительным: электроны начинают отталкиваться от поверхности раздела Si-Si02 затвор управляется положительным напряжением п-канального транзистора Резкое изменение режима работы диода: туннельным пробоем Свет распространяется по сетоводу: Е) используя излучательную рекомбинацию в p-n переходеF) по вращательной траектории вдоль волокнаG) по зигзагообразной траектории Синфазное напряжение в дифференциальном усилителе меняется следующим образом: A) усиления сигнала на входе нет D) не усиливается E) синфазный сигнал это помеха, напряжение не усиливается Синфазное напряжение в дифференциальном усилителе меняется следующем образом: А) не усиливаетсяD) синфазный сигнал это помеха, напряжение не усиливаетсяF) усиления сигнала на входе нет Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является: D) напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является: Д)напряжение одинаковый величины на обоих входахЕ)напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах Синфазным напряжением на входах операционного усилителя оУ является: А) напряжение, присутсвующих одновременнона обоих входах Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является: Д)напряжение одинаковый величины на обоих входахЕ)напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах Скачок потенциала на границе двух областей полупроводника с разным типом проводимости объясняется: А) за счет внутреннего электрического поляС) наличием двойного электрического слоя по обе стороны p-n перехода Спад амплитудно-частотной харктеристики усилителя низких частот УНЧ на транзисторах на верхних частотах объясняется: В) наличием элемента для барьерного заряда и разрядаЕ) наличием коллекторной нагрузки Существенные отличия тиристоров от транзисторов и в электрических устройствах: открываются и закрываются при кратковременной подаче соответствующих сигналов Схема включения транзистора, имеющая минимальное выходное сопротивление: D) схема эмиттерног повторителяЕ) схема с минимальным выходным сопротивлением Схема, изображенная на рисунке- это: С) сравнивающее устройство Д) схема сравнения напряженийЕ) схема компаратора Схема, изображенная на рисунке- это: С) сравнивающее устройство Д) схема сравнения напряженийЕ) схема компаратора Схема, изображенная на рисунке
|