![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Практическая работа №1Стр 1 из 2Следующая ⇒
1 Цель работы: - расшифровать условное обозначение ИМС; - ознакомиться с основными электрическими параметрами ИМС; - определить параметры ИМС.
2 Обеспечение работы: - микросхемы (2 шт.); - паспорт (этикетка) микросхем; - лупа; - линейка; - справочник по микросхемам.
3 Выполнение работы: 3.1 Основные электрические параметры микросхемы К237ГС1: - потребляемый ток, I= мА - потребляемая мощность, P= мВт - напряжение питания, U= В
Рисунок 1.Схема электрическая принципиальная микросхемы К273ГС1 3.2. Основные электрические параметры микросхемы 301НР… - мощность рассеивания, P= мВт - выходное напряжение, U= В
Рисунок 2. Схема электрическая принципиальная микросхемы 301НР…
3.3 Расшифровка условного обозначения ИМС выполнена по справочнику и занесена в табл.1.
Таблица 1
3.4. Определение параметров микросхем: Геометрические размеры микросхем по корпусу – длина и ширина измерены линейкой и занесены в табл.2.
Таблица 2
Параметры, характеризующие конструктивные качества микросхем, рассчитаны по формулам, результаты расчетов занесены в табл.2.
Степень интеграции k = lg N (1) где N – количество элементов микросхемы k1 = k2 =
Интегральная плотность ω = N/S, 1/мм2 (2)
S = b*l, мм2 (3) где b – ширина микросхемы, мм
S1 = b1* l1 = мм2 S2 = b2* l2 = мм2
ω 1 = NΣ 1 / S1 = 1/мм2 ω 2 = NΣ 2 / S2 = 1/мм2
4. Выводы: - о конструктивном качестве микросхем.
|