Главная страница Случайная страница
КАТЕГОРИИ:
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Факторы, влияющие на свойства тонких пленок
|
|
Рост одного вещества на подложке из другого вещества — очень сложный процесс, зависящий от большого числа трудно контролируемых параметров: структуры подложки, состояния ее поверхности, температуры, свойств испаряемого вещества и скорости его осаждения, материала и.конструкции испарителя, степени разрежения, состава остаточной среды и ряда других. В табл. 1 показана связь между свойствами пленок и условиями их осаждения.
| Свойства пленки | факторы, влияющие на указанные свойства | ||||||||||||||
| Размер зерен | Материал подложки и пленки. Загрязнения подложки. | ||||||||||||||
| Подвижность атомов осаждаемого материала на поверхности | |||||||||||||||
| подложки (температура подложки, скорость осаждения). | |||||||||||||||
| Структура поверхности подложки (степень шероховатости, | |||||||||||||||
| наличие кристаллов) | |||||||||||||||
| Расположение кристаллов | Структура подложки ''(монокристаллическая, | ||||||||||||||
| поликристаллическая или аморфная). Загрязнения подложки | |||||||||||||||
| (нарушение структуры пленки). Температура подложки | |||||||||||||||
| (обеспечение необходимой подвижности атомов осаждаемого | |||||||||||||||
| материала) | |||||||||||||||
| Адгезия между пленкой | Материал подложки и пленки. Дополнительные процессы | ||||||||||||||
| (например, образование промежуточного слоя окисла | |||||||||||||||
| между пленкой и подложкой). Загрязнение подложки. | |||||||||||||||
| Подвижность атомов осаждаемого материала | |||||||||||||||
| Загрязнение | Чистота испаряемого материала. Материал испарителя. | ||||||||||||||
| Загрязнение подложки. Степень разрежения и состав | |||||||||||||||
| остаточной среды. Соотношение между давлением остаточных | |||||||||||||||
| газов и скоростью осаждения | |||||||||||||||
| Окисление | Степень химического сродства осаждаемого материала к | ||||||||||||||
| кислороду. Поглощение водяных паров подложкой. | |||||||||||||||
| Температура подложки. Степень разрежения и состав | |||||||||||||||
| остаточной среды. Соотношение между давлением остаточных | |||||||||||||||
| газов и скоростью осаждения | |||||||||||||||
| Напряжение | Материал пленки и подложки. Температура подложки. | ||||||||||||||
| Размер зерен, включения, кристаллографические дефекты в | |||||||||||||||
| пленке. Отжиг. Угол между молекулярным пучком и подложкой | |||||||||||||||
В зависимости от конкретных условий осаждения пленки одного и того же вещества могут иметь следующие основные структурные особенности: аморфную структуру, характеризующуюся отсутствием кристаллической решетки; коллоидную (мелкозернистую) структуру, характеризующуюся наличием очень мелких кристалликов (менее 10~2 мкм); гранулярную (крупнозернистую) структуру, имеющую крупные кристаллы (10-1 мкм и более); монокристаллическую структуру, когда вся пленка представляет собой сплошную кристаллическую решетку атомов данного материала.