Методы формирования конфигураций элементов

тонкоплёночных ГИС.

Для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев используют различные методы:

1) Масочный(метод свободной маски) – соответствующие материалы напыляют на подложку через съемные маски;

2) Фотолитографический – пленку наносят на всю поверхность подложки, а затем вытравливают с определенных участков;

3) Комбинированный (масочный и фотолитографический) – конфигурация отдельных элементов ГИС выполняются с помощью масок, а остальные элементы выполняются с помощью фотолитографии.

А)

Б)

В)

Г)

Д)

Методом свободной маски является самым простым и наиболее распространенным методом формирования плёночных элементов заданной конфигурации. При этом каждый слой тонко плёночный структуры наносят через специальный трафарет – съёмную маску, с определённой точностью повторяющую геометрию проводящих, резистивных или диэлектрических элементов гибридных ИМС.

Съёмные маски представляют собой моно – или биметаллические пластины с прорезями, соответствующими топологии (форме и расположению) создаваемых плёночных элементов. Такие маски позволяют формировать до нескольких сотен одинаковых (идентичных) слоев.

При нанесении плёнок маски должны достаточно плотно прилегать к поверхности подложек, не допуская под пыления материала в зазор между ними и искажения геометрических размеров элементов, что приводит к изменению их электрических параметров. Чем меньше толщина маски и затенение при напылении от потока испаряемого вещества, направленного под углом к поверхности подложки, тем более четок рисунок и выше точность изготовления элементов.