Главная страница Случайная страница
КАТЕГОРИИ:
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Конструкция лазерного диода с распределенной обратной связью (DFB диод).
|
|
18. Принцип работы полупроводникового оптического усилителя.
В полупроводниковом усилителе усиливающей свет средой является тонкий «активный» волноводный слой на границе полупроводников p- и n- типов, через который проходит электрический ток накачки.
Конструкция ПУ подобна конструкции обычного полупроводникового лазера, коэффициент отражения зеркал резонатора у которого близок к нулю. Усиливаемое излучение обычно вводится в активный волновод ПУ при его прямом согласовании (стыковке) с подводимым оптическим волокном; похожим образом усиленное излучение выводится из активного волновода. Бывают усилители бегущей волны (1) и усилители Фабри-Перо (2).
19. Конструкция эрбиевого оптического усилителя (рисунок, пояснения).
1 – источник накачки (мощный полупроводниковый лазер с длиной волны
излучения 980 нм или 1480 нм),
2 – мультиплексор,
3 – эрбиевое оптоволокно,
4 – полосовой оптический фильтр с пропусканием на длине волны
усиливаемого сигнала 1550 нм.