Главная страница Случайная страница
КАТЕГОРИИ:
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Лабораторная работа. Исследование полупроводниковых диодов
|
|
Исследование полупроводниковых диодов
И биполярных транзисторов
Цель работы.
I. Измерение напряжения и вычисление тока через диод, построение вольтамперной характеристики диода.
Схема лабораторной установки исследования напряжения и тока диода (1N4001) при прямом смещении р-n перехода.
Рисунок 1.1
Результаты исследования
Таблица 1.1
| Е, В | Uпр, В | Iпр, мА |
| 0, 5 | ||
Схема лабораторной установки исследования напряжения и тока диода (1N4001) при обратном смещении р-n перехода.
Рисунок 1.2
Результаты исследования
Таблица 1.2
| Е, В | Uоб, мВ | Iоб, мА |
Вольтамперная характеристика (ВАХ) для полупроводникового диода.
| Iпр | ||||||
| Uоб | Uпр | |||||
| Iоб |
Рисунок 1.3
Результаты измерения сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе.
Rдиф=, при Iпр=4мА;
Rдиф=, при Iпр=0, 4мА;
Rдиф=, при Iпр=0, 2мА.
Rдиф=, при Uобр=5В
Rст =, при Iпр=4мА
Исследование работы биполярного транзистора.