![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Функциональных узлов.
Следующие градации поколений ЦИУ отражают применение интегральных схем (ИС) различной степени интеграции и технологий. Третье поколение относится ко второй половине 60-х – 70-м гг., когда стали применяться ИС малой степени интеграции (1–100 элементов на полупроводниковом кристалле, в зависимости от типа и технологии).
Появление четвёртого поколения ЦИУ можно отнести ко второй половине 70-х гг., когда появились большие ИС (БИС) – до 104 элементов на кристалле. С
использованием одной или нескольких БИС реализовались функциональные узлыи блоки, стали широко применяться ИС микромощных (КМОП)и
быстродействующих (ЭСЛ, БПЛ) технологий.
Пятое поколение ЦИУ– начало 80-х, 90-е гг. и по сегодняшний день. Устройства характерны применением сверхбольших ИС (СБИС) – более 104
элементов на кристалл. На основе СБИС реализуются не только отдельные блоки, но и полностью определённые измерительные устройства. Стали внедряться ИС сверхскоростных технологий (ССИС, ССБИС), в
которых применена буферизированная полевая логика(БПЛ) на основе полевых транзисторов с барьером Шотки (ПТШ). Тактовые частоты ИС возросли до1–1, 2 ГГц (БПЛ), а у делителей частоты– до 2, 5–3, 5 ГГц (динамические ИС193
серии).
В состав ЦИУ введены узлы и элементная база для цифровой обработки
фронта 30–300 пс, что в сочетании с быстродействующими АЦП и ОЗУ дало
возможность строить измерительные устройства с заменой аналогов
|