![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Порядок проведения измерений и обработки результатов ⇐ ПредыдущаяСтр 5 из 5
1. Подключить к источнику питания ВС 4-12 схему, представленную на рисунке 11. 2. Переключатель выходного напряжения источника питания ВС 4-12 установить в положение «12 В». 3. Подать на затвор с помощью ключа К напряжение 1 – 1, 5 В. Увеличивая напряжение от 0 до 12 В при помощи вращения ручки потенциометра R, снять стоковую характеристику транзистора. Изменять напряжение на стоке ступенчато с шагом в 1 В. Результаты измерений напряжения и соответствующего тока записывать в таблицу. 4. Снять стоковую характеристику транзистора при напряжении на затворе 5. Построить стоковые характеристики, т.е. зависимость между током и напряжением при двух различных напряжениях на затворе. Таблица
Контрольные вопросы 1. В чем суть полевого эффекта? 2. Дайте определения явлениям обогащения, обеднения и инверсии проводимости приповерхностного слоя полупроводника. 3. Поясните устройство полевого транзистора с изолированным затвором. Укажите наименование и назначение его электродов. 4. Что физически означает изолированный затвор? 5. Нарисуйте вольт-амперные характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом (зависимость тока стока от напряжения сток-исток при различных напряжениях на затворе). 6. Объясните причину насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. 7. Как зависит вид стоковой характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом от напряжения на затворе? 8. Поясните работу ключа на МОП-транзисторе. 9. Поясните работу ключа на комплементарной паре МОП-транзисторов.
Список литературы 1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебное пособие. 8-е изд., испр. – СПб.: Издательство «Лань», 2006. 480 с.: ил. – (Учебники для вузов. Специальная литература).
1. Электронный ресурс https://www.qrz.ru/books/free/electronic/ 2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ.. – 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с., ил. 3. Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1984. – 80 с., ил. 4. Патент US № 1900018А, приоритет от 28.03.1928 г.). Электронный ресурс https://v3.espacenet.com/publicationDetails/originalDocument? CC=US& NR=1900018A& KC=A& FT=D& date=19330307& DB=& locale= 5. Закон Мура воплощается в жизнь благодаря инновациям Intel. Электронный ресурс https://www.intel.com/cd/corporate/techtrends/emea/rus/376990.htm 6. Mark Bohr Intel 32 nm Technology. Feb. 10 2009/ Электронный ресурс https://www.intel.com/pressroom/kits/32nm%5Cwestmere%5Cindex.htm.
|