Студопедия

Главная страница Случайная страница

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение» им. О. В. Лосева

Перечень докладов на Вторую Российско-белорусскую научно-техническую конференцию

Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение» им. О. В. Лосева

 

Направление 1. Электрические, оптические, структурные и химические свойства полупроводниковых материалов. Физика полупроводниковых приборов. Приборы на квантовых эффектах. Моделирование на суперЭВМ методом молекулярной динамики физических процессов в материалах и компонентах электронной техники. Наноструктуры и нанотехнологии в микроэлектронике. Моделирование сложных наносистем, в том числе на суперЭВМ.

Название доклада Авторы доклада Структуры
      МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСЩЕПЛЕНИЯ ДИРАКОВСКИХ ЗОН ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПЕРОВСКИТОПОДОБНЫХ СЛОЖНЫХ ОКСИДОВ Член-корреспондент НАН Беларуси, профессор, д. т. н. ГУРСКИЙ Л.И. 1, к.ф.-м.н. Крылов Г.Г.2, к.ф.-м.н. Крылова Г.В.2 1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск; 2Белорусский государственный университет, Минск
  Диоды Шоттки с барьером из силицида платины, сформированным низкотемпературным методом Я.А.Соловьев, В.А.Солодуха ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
    Особенности проектирования и изготовления микросхем лавинных фотоприёмников ближнего ИК диапазона В.С.Малышев, В.Б.Залесский, В.А.Солодуха, В.С.Цымбал, С.В.Шведов ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск; Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск
    РАСШИРЕНИЕ РАБОЧЕЙ ОБЛАСТИ ЧАСТОТ ФОТОПРИЕМНИКОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ЗОЛОТОМ, ПРИ ИХ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ДЛЯ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ВРЕМЕННОЙ ЗАВИСИМОСТИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ОПТИЧЕСКИХ ИМПУЛЬСОВ   к.ф.-м.н Никишин Е.В., к.ф.-м.н. Гришаев В.Я., Пескова Е.Е.     Мордовский государственный университет им. Н.П.Огарева, Саранск
      ПЕРСПЕКТИВЫ ПРИМЕНЕНИЯ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ПОДЛОЖЕК ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕГО SiC В СВЧ ДИАПАЗОНЕ ОТ 6 ДО 450 ГГЦ   к. ф.-м. н. Вьюгинов В.Н.1, Волков В.В.1, Ребров А.Н.1, Травин Н.К. 1, Венедиктов О.В.1, Коровкина М.М. 1, проф. Григорьев А.Д.1, Козырева О.А.1, д.т.н. Паршин В.В.2, Серов Е.А 2, д.т.н Гарин Б.М.3, Серов Н.В.4 1 ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург; 2ФИЦ Институт прикладной физики РАН; 3Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; 4АО «НИИ Феррит-Домен», Санкт-Петербург
Название доклада Авторы доклада Структуры
    расчёт и моделирование напряжения пробоя высоковольтного фототиристора со встроенной защитой от перенапряжения, полученной с помощью протонного облучения   к.ф.-м.н. Падеров В.П., Силкин Д.С.   Мордовский государственный университет им. Н.П.Огарева, Саранск
  ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ МЕТОДАМИ ЯКР И ЯМР В ЛОКАЛЬНОМ ПОЛЕ к. ф.-м. н. Погорельцев А.И., к. ф.-м. н. Гавриленко А.Н., д. ф.-м. н. Матухин В.Л., к. ф.-м. н. Шмидт Е.В.   Казанский государственный энергетический университет
  Масс-спектрометрическая комплексная методика исследования полевых и термических свойств нанокомпозиционных материалов к. ф.-м. н. Попов Е. О., к. ф.-м. н. Колосько А. Г., Филиппов С. В., Романов П. А., Федичкин И. Л. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
  Название доклада будет объявлено д. ф.-м. н. Шастин В. Н. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
  Численно-аналитическое моделирование прохождения сверхширокополосных сигналов через p-n переход Рассадин А. Э. НРО РНТОРЭС им. А. С. Попова
  Название доклада будет объявлено к. ф.-м. н. Строганова С. А. Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  Про квантовохимические параллельные вычисления в пакете Gaussiana для наноэлектроники и нанофотоники к. х. н. А. Я. Фрейдзон Центр фотохимии РАН, Москва
        Про болометры и эффект Джозефсона     от д. ф-м. н. А. Л. Панкратова1, 2 ¹ Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород; ² Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
    5 докладов от члена-корреспондента РАН А. В. Двуреченского Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск

Ответственные за направление: А. Л. Асеев (СО РАН), А. В. Двуреченский (ИФП СО РАН), В. В. Кведер (ИФТТ РАН), А. К. Муртазаев (ИФ ДНЦ РАН), К. А. Марков (ННГУ), А. Э. Рассадин (НРО РНТОРЭС).

Направление 2. Радиационностойкая и высоконадёжная микроэлектроника. Космические электронные компоненты и вопросы их сертификации. Доминирующие эффекты в полупроводниковой электронной компонентной базе при воздействии импульсных и стационарных ионизирующих излучений. Математические модели электронной компонентной базы при воздействии ионизирующих излучений и внешних электромагнитных импульсов. Проектирование современных радиационностойких интегральных схем и радиационностойкой радиоэлектронной аппаратуры. Имитационное моделирование на суперЭВМ при проектировании современных радиационностойких интегральных схем.

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
      Комплементарный радиационно-стойкий биполярный техпроцесс для высокочастотных аналоговых интегральных микросхем. О.А.Божаткин, О.В.Дворников, И.В.Малый, В.А.Солодуха, С.В.Шведов ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск; ОАО «Минский научно-исследовательский приборостроительный институт».
  Моделирование времени наработки до отказа подзатворного диэлектрика субмикронных микросхем по величине пробивного напряжения при различных скоростях развертки Г.Г.Чигирь, член-корр НАНБ А.И.Белоус, А.К.Панфиленко, А.Н.Петлицкий, В.А.Солодуха, С.В.Шведов ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
  Оптимизация схем кодирования в целях повышения помехозащищенности интегральных схем при воздействии внешних дестабилизирующих факторов д.т.н. Гаврилов С.В., Иванова Г.А., акад. РАН Стемпковский А.Л. Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, Зеленорград
  Программа физико-топологического моделирования переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия на основе многочастичного алгоритма Монте-карло Забавичев И.Ю., Потехин А.А., к. ф.-м. н. Пузанов А.С., д. т. н. Оболенский С.В.   Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  Анализ влияния последовательного гамма и гамма-нейтронного излучения на вольт-фарадные характеристики n+/n- GaAs структуры Тарасова Е.А., Хананова А.В. Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  Оценка радиационной стойкости и транспорт электронов в планарных диодах Ганна Е. С. Оболенская Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  Метод оценки тепловых полей для анализа радиационной стойкости полупроводниковых диодов А. А. Потехин Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
    Масс-спектрометрические методы контроля качества электронной продукции для космических систем Федичкин И. Л., к. ф.-м. н. Попов Е. О., Тюкальцев Р. В., Романов П. А., Филиппов С. В., к. ф.-м. н. Колосько А. Г.   Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Название доклада Авторы доклада Структуры
  Методика разнесения регистров КМОП СБИС для преодоления многократных сбоев при воздействии ТЗЧ Скоробогатов А. П. ФНЦ НИИ системных исследований РАН, Москва
  Моделирование реакции системы чтения регистрового файла на одиночное событие Балбеков А. О. ФНЦ НИИ системных исследований РАН, Москва
  И ещё 2-3 доклада от д. т. н. С. Г. Бобкова ФНЦ НИИ системных исследований РАН, Москва
    9-10 докладов от чл-корр РАН В. В. Кондратьева и д. т. н. В. Е. Костюкова ФГУП «Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский НИИ экспериментальной физики», Саров
    10 докладов   д. т. н. Зольников В.К. 1, 2 & C. 1- Воронежская государственная лесотехническая академия, 2- ОАО НИИ электронной техники, Воронеж
  1-2 доклада от д. т. н. Е. М. Гейфмана ЗАО «Электровыпрямитель», Саранск

Ответственные за направление: А. И. Белоус (ОАО «Интеграл»), С. Г. Бобков (НИИСИ РАН), С. А. Булохов (НИИ ИС), Е. М. Гейфман (ЗАО «Электровыпрямитель»), В. К. Зольников (ОАО «НИИЭТ»), В. А. Лабунов (БГУИР), С. В. Катин (НИИ ИС), С. В. Оболенский (ННГУ).

 

Направление 3. Оптоэлектроника, в том числе оптоэлектронные приборы на гетероструктурах, гетероструктурная СВЧ-электроника, волоконная оптика, фотоника, акустоэлектроника, спинтроника, фрактальные радиоэлементы, пассивная элементная база: устройства и материалы, в том числе магнитные материалы и метаматериалы. Квантовые компьютеры.

Название доклада Авторы доклада Структуры
    Оптоэлектронное направление на ОАО Интеграл – состояние и перспективы развития В.С.Цымбал, В.Б.Залесский, В.А.Солодуха, С.В.Шведов ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»,, Минск; Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск
      Оптимизация спектральных характеристик светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb, P) для измерений концентрации CH4 к.ф.-м.н. Кижаев С.С., к.ф.-м.н. Калинина К.В., к.ф.-м.н. Петухов А.А., Гурина Т.И., Миронова А.Н., к.ф.-м.н. Черняев А.В., к.ф.-м.н. Стоянов Н.Д., д.ф.-м.н. Салихов Х.М. ООО «Микросенсор Технолоджи», Санкт-Петербург
  АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СБИС ПО КРИТЕРИЮ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ к.т.н. Пугачёв А.А.1, Иванова Г.А.1, Пузырьков Д.В.2, к.ф.-м.н. Щелоков А.Н.1, д.т.н.Гулякович Г.Н.1, д.т.н. Северцев В.Н.1 1 Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, Зеленоград; 2 Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, Москва
    ОДНО- И МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЕ СРЕДНЕВОЛНОВЫЕ ИК ФОТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-InAsSbP/n-InAs(Sb) к. ф.-м. н. Н.Д. Ильинская1, С.А. Карандашев1, Н.Г.Карпухина1, 2, А.А.Лавров1, д. ф.-м. н. Б.А. Матвеев1, 2, к. ф.-м. н. М. А. Ременный1, 2, Н.М. Стусь1, к. ф.- м. н. А.А. Усикова1 1 Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург; 2 ООО «ИоффеЛЕД», Санкт-Петербург
    Разработка системы измерения параметров элементов с фрактальным импедансом к.т.н. Максимов К.О.1, Тарасов А.В.2, д.т.н. Ушаков П.А.2 1ООО «ИРЗ ТЕСТ», Ижевск; 2 Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова
  Расчёт размеров гребенчатого резистора   д. т. н. Спирин В. Г. Арзамасский политехнический институт — (филиал) НГТУ им. Р. Е. Алексеева

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
  КОМБИНированные СЛОи Al2O3 И HFO2 в качестве ПОДЗАТВОРНого ДИЭЛЕКТРИКа ДЛЯ GaAs- СТРУКТУР Калентьева И.Л., к.ф.-м.н. Здоровейщев А.В., к.ф.-м.н. Кудрин А.В. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
        Создание напряженных и сильно легированных слоев германия для кремниевой оптоэлектроники   к.ф.-м.н. Баталов Р.И.1, д.ф.-м.н. Баязитов Р.М.1, к.ф.-м.н. Ивлев Г.Д.2 1 Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Казанского научного центра РАН; 2 Белорусский государственный университет, Минск
    Программно-аппаратные средства и методы в современной измерительной технике СВЧ, КВЧ и оптического диапазонов   к. т. н. П. Д. Моисеев, д. т. н. А. М. Щитов ОАО ФНПЦ «Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт им. А. П. Горшкова»
        Технология производства криогенной микросхемы «Эталон 1-го Вольта»   д.ф.-м. н. Клушин А. М.¹, к. ф.-м. н. Грязнов Ю. М ², Хорышев ²   ¹ Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород; ² ОАО ФНПЦ «Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт им. А. П. Горшкова»
  Название доклада будет объявлено к. ф.-м. н. Карзанов В. В. Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  Про численное моделирование резонансно-туннельного диода на основе гетероперехода AlxGa1-xAs/GaAs и барьера Шоттки А. С. Абросимов, к. ф.-м. н. В. Н. Агарев Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
    Про наличие отсутствия элементной базы для оптоэлектроники в России   к. ф.-м. н. М. А. Новиков¹, д. ф.-м. н. В. М. Геликонов² ¹ Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород; ² Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
  3-4 доклада от академика РАН Е. М. Дианова Научный центр волоконной оптики РАН, Москва
    3-4 доклада по спинтронике   от член-корр РАН С. А. Никитова   Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
    4-5 докладов   от д. ф.-м. н. А. И. Панаса Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
  4-5 докладов от д. ф.-м. н. А. М. Бобрешова Воронежский государственный университет
  Название доклада будет объявлено д. т. н. Баранов А. В. ОАО «НПП «Салют», Нижний Новгород
  4-5 докладов от академика РАН А. А. Орликовского Физико-технологический институт РАН, Москва
    1 доклад   от д. т. н. П. П. Мальцева Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва

Ответственные за направление: А. А. Андронов (ИФМ РАН), С. Ю. Белозёров (ННИПИ «Кварц»), А. М. Бобрешов (ВГУ), В. С. Гутин (ЛЭТИ), Е. М. Дианов (НЦ ВО РАН), А. П. Достанко (БГУИР), П. П. Мальцев (ИСВЧПЭ РАН), С. А. Никитов (ИРЭ РАН), М. А. Новиков (ИФМ РАН), А. А. Орликовский (ФТИ РАН), А. И. Панас (ФИРЭ РАН), А. А. Потапов (ИРЭ РАН), А. С. Шалумов (НИИ «АСОНИКА»).

Направление 4. Технологии получения материалов для элементной базы отечественной радиоэлектроники, а также методы их исследования: сканирующая зондовая микроскопия, рентгеноструктурный анализ и. т. д. Оптическая, рентгеновская, электронная и ионная литография. Ионная имплантация. Моделирование на суперЭВМ технологических процессов микроэлектроники. Высокочистые материалы для микро- и наноэлектроники, волоконной и силовой оптики, оптоэлектроники. Методы физического материаловедения.

Название доклада Авторы доклада Структуры
  Исследование методом ИК-Фурье спектрометрии пространственного изменения кинетики преципитации кислорода в кремнии в процессе изготовления ИМС   А.Н.Петлицкий, Т.Н.Ещик, Н.А.Крекотень, А.К.Панфиленко, Т.В.Петлицкая, В.А.Солодуха, С.В.Шведов ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
      Анализ электрофизических параметров элементной базы субмикронных ИМС с использованием четырехзондового наноманипулятора   А.Н.Петлицкий, Д.В.Жигулин, А.К.Панфиленко, Т.В.Петлицкая, член-корр НАНБ В.А. Пилипенко, В.А.Солодуха, В.А. Филипеня, С.В.Шабалина, С.В.Шведов ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
    Высокочистые тугоплавкие металлы для тонкоплёночной металлизации в микроэлектронике   д. т. н. Глебовский В. Г. 1, к. ф.-м. н. Чепурнов А. С. 2 1 Институт физики твёрдого тела РАН, Черноголовка; 2 НИИ ядерной физики МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва
  ДИАГНОСТИКА ПЛАНАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ПРИ ПОМОЩИ МИКРОВОЛНОВОГО БЛИЖНЕПОЛЬНОГО МИКРОСКОПА С МОНОПОЛЬНОЙ АНТЕННОЙ   д. ф.-м. н. Резник А.Н., Королёв С.А.     Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
  Влияние параметров измерительного сигнала на погрешность измерений емкости И. Ю. Забавичев Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  Магнетронно-инжекторные пушки для гиротронов с эллиптическими и разрезными резонаторами А. Д. Кунцевич, К. А. Лещева, д. ф.-м. н. В. Н. Мануилов Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
    Неадиабатическая электронно-оптическая система технологического гиротрона к. ф.-м. н. Гольденберг А.Л. 1, д. ф.-м. н. Глявин М.Ю. 1, Лещева К.А. 2, д. ф.-м. н. Мануилов В.Н2 1 Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород; 2 Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

 

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
    Релаксационные процессы в твёрдом теле и метод дробных производных     Н. Д. Абросимова ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Нижний Новгород
  Про высокочистые материалы для волоконной оптики д. х. н. Родченков В. И. Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
  Название доклада будет объявлено д. ф.-м. н. Чхало Н. И. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
  Про магнетронное напыление плёнок для спинтроники д. ф.-м. н. Е. С. Демидов, А. А. Тронов Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  3-4 доклада от чл-корр РАН А. Н. Гурьянова Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород
    3-4 доклада   д. т. н. А. В. Бородин & C Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро РАН, Черноголовка
    2-3 доклада   чл-корр РАН В. В. Аристов & C Институт проблем технологий микроэлектроники РАН, Черноголовка
  4-5 докладов от члена-корреспондента НАНБ Ф. Ф. Комарова Белорусский государственный университет, Минск
    4-5 докладов   от акад. РАН А. С. Сигова Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники (МИРЭА)

 

Ответственные за направление: Н. Д. Абросимова (НИИ ИС), В. В. Аристов (ИПТМ РАН), А. В. Бородин (ЭЗНП РАН), В. А. Быков (НТ-МДТ), С. В. Гапонов (ИФМ РАН), А. Н. Гурьянов (ИХВВ РАН), Ф. Ф. Комаров (БГУ), А. В. Рогачёв (ГомГУ), Г. А. Самсонов (РНТОРЭС), А. С. Сигов (МИРЭА).

 

 

Направление 5. Исследование внедрения инноваций в микроэлектронике. Проблемы импортозамещения в микроэлектронике, в том числе с применением математического моделирования. Вопросы экономики, качества, надежности, диагностики и стандартизации в производстве элементной базы отечественной радиоэлектроники.

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
  Микроэлектронная элементная база холдинга «ИНТЕГРАЛ» - состояние и перспективы развития Ю.А.Альшевский, А.В.Кетько, А.К.Панфиленко, В.А.Солодуха, С.В.Шведов ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
  Развитие радиоэлектронной промышленности России И. А. Покровский, ген. директор «Центр современной электроники», Москва
    Образование и экономическая динамика   к. ф.-м. н. Н. В. Белотелов 1, 2 1 Вычислительный центр имени А. А. Дородницына РАН, Москва, 2 Московский физико-технический институт, Долгопрудный
  Нанокомпозитные светотрансформирующие укрывные материалы в лесном и сельском хозяйстве Храмов Р. Н., Бессчетнова Н. Н., Бессчетнов В. П., к. б. н. Гаврилова А. А. Нижегородская государственная сельскохозяйственная академия
  Расчет надежности печатных узлов блока со сроком хранения 30 лет   д. т. н. Н. П. Ямпурин & C Арзамасский политехнический институт — (филиал) НГТУ им. Р. Е. Алексеева
  Название доклада будет объявлено от д. т. н. С. Г. Бобкова ФНЦ НИИ системных исследований РАН, Москва
  Про комплекс аппаратуры типа «АДИП» для испытания силовых полупроводниковых приборов и измерения их параметров   к. т. н. Н. Н. Беспалов Мордовский государственный университет им. Н.П.Огарева, Саранск
  Про малогабаритную высокочастотную установку индукционного нагрева для плавки, закалки и пайки металлов и силовую электронику для неё   Доронин П. А. Нижегородская государственная сельскохозяйственная академия

Ответственные за направление: В. А. Каширин (НРО НТОРЭС), Г. Г. Малинецкий (ИПМ РАН), В. П. Хранилов (НГТУ), Ю. В. Федько (НРО НТОРЭС).

 

 

Направление 6. Интегрированные интеллектуальные системы радиолокации, гидролокации, навигации, робототехники и связи будущего. Параллельные вычисления и грид-технологии в перспективных радиотехнических системах: системах дистанционного зондирования Земли, ГЛОНАСС и. т. д., а также в гидроакустических и робототехнических системах. Микросистемная техника. Информационная безопасность.

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
  Применение методов искусственного интеллекта при обработке радиолокационной информации для объектов сложной формы д. т. н. И. Я.Львович¹, к. ф.-м. н. А. П. Преображенский², д. т. н. О. Н. Чопоров², Н. Г. Тюрин², И. А.Гащенко² ¹ Панъевропейский университет (Братислава, Словакия); ² Воронежский институт высоких технологий
  ГИДРОЛОКАЦИОННЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ МОРСКОГО ДНА Элбакидзе А.В. , к.ф.м.н. Разманов В.М., Смольянинов И.В., к.ф.м.н. Кривцов А.П., Денисов Е.Ю. Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
  ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ БЕЗРЕАКТИВНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ НА МЕМРИСТОРАХ к. т. н. Ракитин В. В., член-корр. РАН Русаков С. Г. Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, Зеленоград
        Про мемристор на квантовом эффекте Холла     д.ф.-м. н. Потапов А.А.¹, д. ф.-м. н. С. Ш. Рехвиашвили² ¹ Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва; ² Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербекова, Нальчик
  Про обработку изображений к. т. н. Н. Л. Харина Вятский государственный университет, Киров
    Про распознавание образов в гидроакустике   к. т. н. В. Е. Гай Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
  Про динамику спутниковых группировок к. ф.-м. н. Д. Е. Бурланков Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
    Фрактальные радиосистемы: новейшие результаты   д.ф.-м. н. Потапов А.А.   Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва
    Водородные стандарты частоты: новейшие достижения   к. т. н. В. И. Васильев ОАО ФНПЦ «Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт им. А. П. Горшкова»
Название доклада Авторы доклада Структуры
    Элементная база СВЧ миллиметрового диапазона   д. т. н. А. М. Щитов ОАО ФНПЦ «Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт им. А. П. Горшкова»
    Электромагнитная совместимость и системы анализа спектра   Анисимов Л. А., Майоров ОАО ФНПЦ «Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт им. А. П. Горшкова»
  Об анализе шумовых процессов в гидроакустике С. В. Горовой Дальневосточный федеральный университет, Владивосток
    Про дистанционное зондирование Земли   д. т. н. О. В. Горячкин Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, Самара
  Электродинамические характеристики антенны бегущей волны в магнитоактивной плазме Дерендяев Д. Н. Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
        Временная эволюция фрактального начального условия снеговой поверхности   Китаев А. Е. ¹, д. ф.-м. н. Потапов А. А.², Рассадин А. Э.³ ¹ ОАО «СКБ РИАП», Нижний Новгород; ² Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва; ³ НРО НТОРЭС им. А. С. Попова, Нижний Новгород
  Название доклада будет объявлено к. т. н. А. O. Щирый Йошкар-Ола
    Про многопозиционный метеорологический радиолокатор и его грид-систему обработки информации   к. ф.-м. н. А. Л. Умнов¹, Л. Ф. Коротков ² ¹ Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; ² АО НПО «Горизонт», Нижний Новгород
  2-3 доклада про сети передачи информации от академика РАН Н. А. Кузнецова Московский физико-технический институт, Долгопрудный.
  4-5 докладов по информационной безопасности от д. т. н. Е. М. Сухарева Москва, Зеленоград
    2 доклада   от д. т. н. Ю. М. Тулякова Волго-Вятский филиал Московского технического университета связи и информатики, Нижний Новгород

 

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
    3-4 доклада   д. т. н. Н. П. Ямпурин & C Арзамасский политехнический институт — (филиал) НГТУ им. Р. Е. Алексеева
  3-4 доклада от члена-корреспондента РАН И. А. Каляева Таганрог
    2-3 доклада   Балтийский федеральный университет им. И. Канта, Калининград

Ответственные за направление: И. Р. Ашурбейли (ОАО «КБ-1»), Ю. Б. Зубарев (ЗАО «МНИТИ»), И. А. Каляев (ТРТИ), Ф. Н. Ковалёв (НГТУ), В. В. Кондратьев (НГТУ), И. В. Косяк (ВЭС ВКО), Е. М. Сухарев («Алмаз-Антей»), Ю. М. Туляков (ВВО МТУСИ), Д. М. Урманов (РАМЭМС), А. В. Частиков (ВятГУ), В. А. Черепенин (ИРЭ РАН), Н. П. Ямпурин (АПИ-НГТУ).

 

Направление 7. Вопросы профессионального образования в нано-, микро- и радиоэлектронике. Автоматизация проектирования в в нано-, микро- и радиоэлектронике. Проблемы обеспечения качества подготовки отечественных специалистов по элементной базе по дисциплинам математического цикла.

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
  ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ – ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОСНОВА ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ СПЕЦИАЛИСТОВ ДЛЯ НАНО- МИКРО- И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ПО ДИСЦИПЛИНАМ МАТЕМАТИЧЕСКОГО ЦИКЛА (В 5-ТИ ЧАСТЯХ). ЧАСТЬ 1: НАНОУСТРОЙСТВА НА КВАНТОВЫХ ЭФФЕКТАХ КОГЕРЕНТНЫХ ПОЛЯРИТОННЫХ СОСТОЯНИЙ     Член-корреспондент НАН Беларуси, профессор, д. т. н. ГУРСКИЙ Л.И.       Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск  
  ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ – ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОСНОВА ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ СПЕЦИАЛИСТОВ ДЛЯ НАНО- МИКРО- И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ПО ДИСЦИПЛИНАМ МАТЕМАТИЧЕСКОГО ЦИКЛА (В 5-ТИ ЧАСТЯХ). ЧАСТЬ 2: ПЕРИОДИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ЭЛЕМЕНТОВ Д.И. МЕНДЕЛЕЕВА; ГРУППЫ СИММЕТРИИ В ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКЕ; ОСНОВНЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ, ОПРЕДЕЛЯЮЩИЕ СТРОЕНИЕ И СВОЙСТВА МАТЕРИИ   Член-корреспондент НАН Беларуси, профессор, д. т. н. ГУРСКИЙ Л.И.     Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск  
  ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ – ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОСНОВА ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ СПЕЦИАЛИСТОВ ДЛЯ НАНО- МИКРО- И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ПО ДИСЦИПЛИНАМ МАТЕМАТИЧЕСКОГО ЦИКЛА (В 5-ТИ ЧАСТЯХ). ЧАСТЬ 3: ГРУППА SO (4, 2) И СИММЕТРИЙНЫЕ СВОЙСТВА ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ЭЛЕМЕНТОВ     Член-корреспондент НАН Беларуси, профессор, д. т. н. ГУРСКИЙ Л.И.       Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск  

 

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
    ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ – ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОСНОВА ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ СПЕЦИАЛИСТОВ ДЛЯ НАНО- МИКРО- И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ПО ДИСЦИПЛИНАМ МАТЕМАТИЧЕСКОГО ЦИКЛА (В 5-ТИ ЧАСТЯХ). ЧАСТЬ 4: ГРУППЫ СИММЕТРИИ В КЛАССИФИКАЦИИ ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ЧАСТИЦ; ДИНАМИЧЕСКОЕ ПРАВИЛО ДЛЯ СОСТАВА ЭЛЕКТРОННЫХ ОБОЛОЧЕК МНОГОЭЛЕКТРОННЫХ АТОМОВ     Член-корреспондент НАН Беларуси, профессор, д. т. н. ГУРСКИЙ Л.И.       Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск  
    ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ – ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОСНОВА ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ СПЕЦИАЛИСТОВ ДЛЯ НАНО- МИКРО- И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ПО ДИСЦИПЛИНАМ МАТЕМАТИЧЕСКОГО ЦИКЛА (В 5-ТИ ЧАСТЯХ). ЧАСТЬ 5: ДИНАМИЧЕСКАЯ ГРУППА СИММЕТРИИ; ВОДОРОДОПОДОБНЫЙ АТОМ И ГРУППА SO(4, 2)   Член-корреспондент НАН Беларуси, профессор, д. т. н. ГУРСКИЙ Л.И.     Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск  
  Незавершённые работы О. В. Лосева   к. ф.-м. н. М. А. Новиков¹, Гилёв С. А. ² ¹ Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород; ² Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  Автоматическая система тестов для оценки алгоритмов увеличения надежности логических схем к. т. н. Соловьев Р.А., к. т. н. Тельпухов Д. В., Рухлов В. С., к.ф.-м. н. Щелоков А.Н. Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, Зеленоград
    Обобщённые соотношения неопределённости для движения квантовой частицы в однородном поле   д. ф.-м.н. Потапов А.А.¹, Рассадин А. Э.² ¹ Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва; ² НРО НТОРЭС им. А. С. Попова, Нижний Новгород
  Магнитная модель атома и её применение в микроэлектронике Семиков С. А. Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

 

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
  Потеря счётной устойчивости в алгоритмах вычисления полиномов Чебышёва-Эрмита и обобщённых полиномов Лаггера высокого порядка   к. ф.-м. н. Бритенков А. К. НРО РНТОРЭС им. А. С. Попова, Нижний Новгород
  Современные вопросы радиоэлектроники с позиции теории аналитических функций   д. т. н. Н. П. Ямпурин & C Арзамасский политехнический институт — (филиал) НГТУ им. Р. Е. Алексеева
  Семейство квазиинвариантных мер в пространстве траекторий и связанные с ними представления группы диффеоморфизмов   Романов Е. Д. Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
  Асимптотические разложения интегралов Фейнмана от экспонент с полиномами четвёртого порядка в показателе к. ф.-м. н. Кравцева А. К., д. ф.-м. н. Смолянов О. Г., д. ф.- м. н. Шавгулидзе Е. Т. Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
  Оценки скалярных произведений векторных полей и их применение в проектировании СВЧ-устройств к. ф.-м. н. Калинин А. В. & C Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  Отечественные программы проектирования акустоэлектронных, волоконнооптических и СВЧ устройств на основе методов поисковой оптимизации   к. т. н. Бугров В. Н. Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  ПРОБЛЕМЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ АВТОГЕНЕРАТОРНЫХ СХЕМ В СИСТЕМАХ АВТОМАТИЗАЦИИ СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ к.т.н Гурарий М.М., к.т.н Жаров М.М., чл-корр. РАН Русаков С.Г., д.т.н. Ульянов С.Л. Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, Зеленоград
  Многофункциональный измерительный стенд для лабораторных работ по курсу ртц д. ф.-м. н. Денисов Б.Н., Зазулин Я.А., Козлов Н.Н. Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск
  Методика численного моделирования электростатического анализатора электронных пучков в гиротроне А.В.Климов, д. ф.-м. н. В.Н.Мануилов Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  Применение смешанной динамики ферромагнитных и сегнетоэлектрических микроскопических кельтских камней в микросистемной технике или возможен ли новый тип квантового хаоса? д. ф.-м. н. С. В. Гонченко¹, к. ф.-м. н. А. С. Гонченко¹, к. ф.-м. н. А. О. Казаков¹, А. Э. Рассадин² ¹ Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; ² НРО РНТОРЭС им. А. С. Попова

 

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
  Про дробные производные и случайные процессы к. ф.- м. н. Дубков А. А. & C Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
        Функции Гойна и контакт Джозефсона     чл-корр РАН В. М. Бухштабер 1, 2 & С ¹ Математический институт им. В.А. Стеклова РАН, Москва; ² Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, Москва
  Про грассмановы переменные и суперанализ ферми-систем к. ф.-м. н. О. Е. Галкин Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  Учить специалистов по нано-, микро- и радиоэлектронике топологическим методам в динамических системах настоящим образом --- как А. А. Андронов, Л. С. Понтрягин и Л. П. Шильников!   д. ф.-м. н. Починка О. В.   НИУ «Высшая школа экономики» в Нижнем Новгороде
    Описание сверхтекучести в рамках фрактальной парадигмы, дробных производных и интегралов Фейнмана   д. ф.-м.н. Потапов А.А.¹, Рассадин А. Э.² ¹ Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва; ² НРО РНТОРЭС им. А. С. Попова, Нижний Новгород

Ответственные за направление: А. С. Бугаёв (ИРЭ РАН), Л. И. Гурский (БГУИР), А. Л. Стемпковский (ИППМ РАН), Ю. А. Чаплыгин (МИЭТ), А. Н. Щелоков (ИППМ РАН), А. Э. Рассадин (НРО РНТОРЭС).

 

 

Направление 8. Нано-, микро- и радиоэлектроника в медицине и микробиологии. Грид-технологии в телемедицине.

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
  Радиометр для российско-белорусского медико-диагностического центра   к. ф.-м. н. Ракуть И. В.   Научно-исследовательский радиофизический институт, Нижний Новгород
  Лазерный скальпель для российско-белорусского медико-диагностического центра Галинский М. К. Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  Прибор для неинвазивного определения внутричерепного давления типа «Вибронейрон» к. м. н. Грибков А. В., Канышев А. С. ОАО «ГлобалТест», Саров
    Портативные аппараты КВЧ-терапии   к. б. н. Гаврилова А. А. ¹, к. т. н. Кревский М. А. ², Зинина Е. С. ², Доронин П. А. ¹ ¹ Нижегородская государственная сельскохозяйственная академия; ² ООО «Элм электроника-медицина», Нижний Новгород
    Методы радиоэлектронной диагностики и восстановительная медицина   к. м. н. В. А. Балчугов 1, 2 ¹ Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, ² Нижегородская государственная медицинская академия
    Про структуры, индуцированные нелокальной связью в реакционно-диффузионных моделях для сердечной мышцы   от д. ф.-м. н. Г. В. Осипова1, 2 ¹ Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; ² Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
  О возможности применения моделей Ван-дер-Поля-Дуффинга при моделировании возбудимых биомембран Л. Б. Фомин¹, д. м. н. Борисов В. И. ² ¹ Нижегородский кардиоцентр; ² Нижегородская государственная медицинская академия
  Про генноинженерный нанотехнологический анализ совместимости тканей чл-корр РАН Е. В. Пименов & C Коми научный центр УрО РАН, Сыктывкар
  Про самоорганизацию вирусов к. ф.-м. н. М. Л. Тай, Е. Ю. Кадина Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
    1-2 доклада по математической биологии и биоинформатике   от академика РАН Н. А. Кузнецова через Дисс. совет Д 002.077.04 при Институте проблем передачи информации им.А.А.Харкевича РАН, Москва

 

Название доклада Авторы доклада Структуры
    Об аппаратной реализации обобщённого спектрально-аналитического метода   Махортых С. А. 1, 2, Панкратов А. Н. 1, 2 1 Институт математических проблем биологии РАН, Пущино-на-Оке; 2 Пущинский государственный естественно-научный институт
  СВЧ ТЕХНОЛОГИИ СВЕРХНИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ В СЕЛЬСКОМ ХОЗЯЙСТВЕ к. б. н. Гаврилова А. А., к. б. н. Егорашин В. Г. Нижегородская государственная сельскохозяйственная академия
    Про фрактальные методы анализа применительно к инфаркту миокарда и энцефалограммам   д. ф.-м. н. О. И. Антипов1, д. ф.-м. н. В. А. Неганов1, П. А. Лебедев2 1Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, Самара; 2 Самарский государственный медицинский университет
    Про ионизаторы воздуха «Эффлювион» и «Аэроион-25У»   к. т. н. Н. Н. Беспалов Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск
  Про обработку медицинских изображений д. т. н. Медведева Е. В. Вятский государственный университет, Киров
  1 доклад от к. ф.-м. н. А. К. Бритенкова  

Ответственные за направление: А. К. Бритенков (НРО РНТОРЭС), А. А. Гаврилова (НГСХА), Н. А. Кузнецов (ИРЭ РАН), И. В. Ракуть (НИРФИ), С. Д. Снегирёв (НИРФИ), Е. В. Пименов (Коми НЦ УрО РАН), Л. Т. Сушкова (ВлГУ), И. Б. Фёдоров (МГТУ).

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Июля 1915 | 
Поделиться с друзьями:

mylektsii.su - Мои Лекции - 2015-2024 год. (0.017 сек.)Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав Пожаловаться на материал