Низкоразмерные 3D, 2D, 1D, 0D системы

Благодаря развитию современных методов роста, таких как молекулярно-пучковая эпитаксия, металлоорганическая газофазная эпитаксия и др., в настоящее время стало возможным выращивание гетероструктур, состоящих их разных типов кристаллов. Разновидностью таких структур являются сверхрешетки, в которых два типа кристаллов имеют периодическое расположение вдоль одного из направлений (ось роста). Другим типом двумерной наноструктуры является квантовая яма, представляющая собой тонкий слой одного полупроводника в достаточно объемном массиве другого полупроводника. Были успешно изготовлены и изучались структуры с размерностью единица (одномерные структуры), которые называются квантовыми проволоками. Подобные структуры изображены на рис. 45, рис. 46 и рис. 47. Цель настоящей главы состоит в изучении колебательных свойств таких двумерных, одномерных и нульмерных структур (т.н. квантовых точек).

Рис. 45. Электронно-микроскопическое изображение сверхрешетки полупроводниковых кристаллов AlAs и GaAs, состоящих из последовательного расположения 10 слоев AlAs и 10 слоев GaAs. Справа помещена фотография сверхрешетки GaSb/AlSb.

Рис. 46. Электронно-микроскопическое изображение квантовых точек некоторых полупроводниковых кристаллов.

Рис. 47. Схематическое изображение и электронно-микроскопическая фотография квантовой ямы в кристалле кремния.