Студопедия

Главная страница Случайная страница

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Расчет чувствительности приемного оптического модуля






 

Расчет чувствительности ПРОМ на основе ЛФД, полевого и биполярного транзисторов осуществляется в энергетических и логарифмических величинах.

В данной работе в качестве детектора оптического излучения выбран лавинный фотодиод компании MitsubishiPD 8042 [6].

Чувствительность (в данном случае) – это минимальная средняя по времени мощность оптического сигнала на входе ПРОМ при заданных характеристиках этого сигнала и обеспечения требуемого отношения сигнал/шум или коэффициента ошибок . Коэффициент ошибок учитывает вероятность ложного восприятия сигнала. Связь между и следующая: если К ош = 10-9, то = 6.

В энергетических величинах чувствительность ПРОМ с ЛФД определяется согласно соотношению:

 

(6.1)

 

где A λ = μ ∙ (hce λ); (6.2)

 

h – постоянная Планка;

с – скорость света;

η – квантовая эффективность фотодиода;

e – заряд электрона;

λ – длина волны излучения;

γ = 0, 5;

F – шум-фактор умножения: FMx;

M – коэффициент умножения ЛФД;

x = 0, 75 для InGaAs ЛФД;

In 1 – интеграл Персоника, In 1 = 0, 5;

B – скорость передачи информации;

= – полный шумовой ток предусилителя и фотодетектора:

 

= (6.3)

 

– тепловой шум, обусловленный сопротивлением нагрузки фотодетектора:

 

(6.4)

 

k – постоянная Больцмана;

T – температура;

In 2 = 0, 55;

 

 

– дробовый шум, обусловленный током утечки.

 

(6.5)

 

I УТ – сумма тока утечки затвора полевого транзистора и других шунтирущих источников тока;

I T – темновой ток pin -фотодиода;

 

 

– еще одна составляющая шумового тока:

 

(6.6)

 

In3 = 0, 085;

– ЭДС шума в единичной полосе для полевого транзистора:

 

(6.7)

 

F ПТ – шум-фактор полевого транзистора;

g М – крутизна полевого транзистора в рабочей точке;

Подставляя значения в формулу (6.6) получим = 7, 9∙ 10-18 А2.

Используя все вычисленные значения в формуле (6.1), находим P ЛФД = 5, 5∙ 10-14 Вт. Переведя это значения в логарифмические единицы, получим P ЛФД =

-43 дБм.

 

 


 


Поделиться с друзьями:

mylektsii.su - Мои Лекции - 2015-2024 год. (0.011 сек.)Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав Пожаловаться на материал