![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Инжекция носителей токаСтр 1 из 2Следующая ⇒
Содержание
1. Цель работы……………………………………………………………4 2. Теоретическая часть…………………………………………………...4 2.1. Инжекция носителей тока…………………………………………..4 2.2. Принцип работы транзистора………………………………………6 3. Приборы и оборудование……………………………………………..8 4. Требования к технике безопасности………………………………….9 5. Выполнение работы…………………………………………………...9 6. Требования к отчету………………………………………………….10 7. Контрольные вопросы………………………………………………..10 Список литературы…………………………………………………...11 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 79 Изучение статических характеристик и определение коэффициента усиления транзистора Цель работы Целью данной работы является изучение принципа работы транзистора, снятие статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, и определение коэффициента усиления по току.
Теоретическая часть
Транзистором (полупроводниковым триодом) называется устройство, содержащее два близко расположенных р – n – перехода, действующее подобно вакуумной электронной лампе с сеткой.
Инжекция носителей тока
В основе работы транзистора лежит явление полупроводников р и n – типа (р – n – переход), к которому приложено внешнее электрическое поле
Рис. 2.1 В этом случае потенциальный барьер основных носителей на границе р – n – перехода снижается, и под влиянием внешнего поля дырки переходят из р в n – полупроводник, а электроны в обратном направлении (из n в р – полупроводник), и в цепи возникает прямой ток. Дырки, перешедшие в n – полупроводник, являются для него неосновными носителями; встречаясь с электронами, они рекомбинируют с ними. То же самое происходит с электронами, перешедшими в р – полупроводник, причем для этого типа полупроводника они являются неосновными носителями. Процесс рекомбинации происходит не мгновенно, поэтому у границы р – n – перехода происходит как бы «впрыскивание» электронов как неосновных носителей в приграничный слой р – полупроводника и дырок – в приграничный слой n – полупроводника. Поэтому это явление получило название инжекции носителей. По мере удаления от границы р – n – перехода концентрация N неосновных носителей непрерывно уменьшается. За время dt число неосновных носителей уменьшается на dN, причем уменьшение числа носителей пропорционально времени dt и концентрации неосновных носителей N, так как, чем их больше, тем больше вероятность встречи их с основными носителями, приводящей к рекомбинации: – dN = где Разделяя переменные и интегрируя полученное выражение, получим закон, по которому изменяется с течением времени число неосновных носителей в результате рекомбинации:
N = N 0 e-t/ τ , (2.2) где N 0 – концентрация неосновных носителей на границе р – n – перехода. Из соотношения (2.2) видно, что при t = τ
|