МДП- транзистори

На відміну від ПТ з керуючим р-n переходом, у яких затвор має безпосередній електричний контакт із суміжною областю струмопровідного каналу, у МДН-транзисторів затвор, що являє собою, наприклад, алюмінієву плівку (Аl), ізольований від зазначеної області шаром діелектрика. Тому МДН-транзистори відносять до класу ПТ з ізольованим затвором. Наявність діелектрика забезпечує високий вхідний опір цих транзисторів (1012 - 1014 Ом),

Частіше у якості діелектрика використовують оксид кремнію (Sі02,) і тоді ПТ називають МОН-транзистором (метал - окисид - НП). Такі транзистори бувають із вбудованим і індукованим каналами. Останні більш розповсюджені.

Конструкція МОН-транзистора з індукованим каналом и-типу зображена на рис.1.

Рис. 1- Конструкція МОНтранзистора з індукованим каналом.

При U_зв = 0 або від'ємному, І_с = 0 (два р-n переходи увімкнені назустріч). При позитивній напрузі на затворі відносно витоку поверхневий шар на межі НП з діелектриком збагачується електронами, які притягуються з глибини p-шару (де вони є завдяки тепловій генерації вільних носіїв заряду) до затвору: виникає явище інверсії НП у примежовій зоні, коли р-ша.р стає n-шаром. Таким чином, між зонами n-шарів наводиться (індукується) канал, по якому може протікати струм від стоку до витоку.

Вихідні ВАХ ПТ з ізольованим затвором подібні до ВАХ ПТ з керуючим р-n переходом, тільки характеристики проходять вище зі збільшенням напруги U_зв.

Умовні позначення МДН - транзисторів наведені на рис. 2.

а) б) в) г)

Рис. 2. - Умовні позначення МДН - транзисторів з каналами:

вбудованим n-типу(а); вбудованим p-типу (б); індукованим nпу (в); індукованим

р - типу (г)

ПТ широко використовують як дискретні компоненти електронних пристроїв, а також у складі інтегральних мікросхем.