Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Основні характеристики ФП⇐ ПредыдущаяСтр 38 из 38
Основними характеристиками ФП є спектральна, частотна і енергетична (світлова). Світловою характеристикою називають залежність фотоструму Іф, від світлового потоку Ф, який падає на чутливу поверхню при сталій напрузі (U ф = соnst). Світлові характеристики ФП будують в залежності від освітленості їх поверхні Е = Ф/А (А - площа чутливої поверхні), а не від величини світлового потоку, оскільки розміри чутливого шару незначні. За світловою характеристикою визначається основний параметр ФП – інтегральна чутливість S = I ф/ (АФ). Для багатьох напівпровідникових ФП інтегральна чутливість залежить від прикладеної напруги, тому користуються поняттям питомої чутливості S0 = I ф/ (АUфФ). Динамічний діапазон лінійності ФП виражається, як правило, в децибелах: , (5.5) де Ф мін, Ф макс – область значень світлового потоку Ф, в межах якої енергетична характеристика лінійна. Для забезпечення високої чутливості до випромінювання необхідно, щоб у ФД дифузна складова фотоструму була мінімальною. Тому ФД працює або взагалі без джерела напруги (фотогальванічний режим), або при зворотній зовнішній напрузі (фотодіодний режим). У загальному випадку (для довільної полярності джерела напруги U) струм фотодіода описується виразом , (5.6) де I ф - фотострум; І pn - струм p-n –переходу; I 0 - тепловий струм р-п- переходу. При різних потоках випромінювання Ф цей вираз задає сімейство вольт-амперних характеристик ФД (рис. 5.3). Квадрант І - це не робоча область для ФД, тут дифузна складова струму набагато більша від фотоструму (Ірп» I ф). Квадрант III – це фотодіодна область роботи. У робочому діапазоні зворотних напруг фотострум практично не залежить від величини напруги і опору навантаження. Вольт-амперна характеристика резистора навантаження R є прямою лінією, рівняння якої має вигляд , (5.7) де U з - величина зворотної напруги. Оскільки ФД і резистор навантаження з'єднані послідовно, через них протікає однаковий струм. Його можна визначити за точкою перетину вольт-амперних характеристик ФД і резистора в квадранті III. Таким чином, у фотодіодному режимі при заданому потоці випромінювання ФД є джерелом струму І ф по відношенню до зовнішнього кола. Значення цього струму практично не залежать від параметрів зовнішнього кола.
Квадрант IV відповідає фотогальванічному режиму роботи ФД (рис. 5.4). Точки перетину вольт-амперних характеристик з віссю напруг відповідають значенням фото-е.р.с. або напругам холостого ходу (R = ¥). Тоді з виразу (5.6) легко одержати напругу на переході, яка дорівнює фото-е.р.с. . (5.8) Точки перетину вольт-амперних характеристик з віссю струмів відповідають значенням струмів короткого замикання (R = 0). Проміжні значення опору навантаження визначаються лініями, які для різних значень R виходять з початку координат під різними кутами. При заданому значенні струму можна вибрати оптимальний режим роботи ФД у фотогальванічному режимі, коли на опорі буде виділятися найбільша електрична потужність. Оптимальному режиму відповідає для світлового потоку Ф 1 лінія навантаження R 1 (площа заштрихованого прямокутника з вершиною в точці А буде найбільшою – рис. 5.4). Рис. 5.5. Вольт-амперні характеристики лавинних фотодіодів
На рис. 5.5 представлені вольт-амперні характеристики, типові для ЛФД. Рівняння такої характеристики можна записати у вигляді . (5.9) У фотоприймачах з внутрішнім підсиленням крім перетворення оптичного випромінювання в електричний струм (фотострум) має місце ще і збільшення (підсилення) фотоструму. Основними різновидами ФП з внутрішнім підсиленням є фототранзистор і фототиристор. У порівнянні із звичайним ФД фототранзистор дає підсилення струму в b разів, а інтегральна чутливість фото транзистора , (5.10) де S фд – струмова чутливість ФД, утворена емітерним переходом транзистора; b–коефіцієнт підсилення транзистора. При виконанні роботи передбачається використання широкого набору як випромінювачів, так і фотоприймачів. їх заміна проводиться лише за участю викладача. При цьому слід також знайомитися з їх описом та паспортними характеристиками.
|