![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Параметры транзисторов
Для оценки свойств транзисторов наряду с их характеристиками используют параметры. Различают две группы параметров: первичные и вторичные. К первичным относят собственные параметры транзистора, характеризующие его физические свойства и не зависящие от схемы включения: Сущность вторичных параметров можно объяснить, представив транзистор в виде активного четырехполюсника, имеющего два входных и два выходных вывода и усиливающего сигнал Входные величины обозначают индексом «1», а выходные - индексом «2»: I1 и U1 – входные ток и напряжение, I2 и U2 – выходные. Все рассуждения справедливы при условии, что сигналы, т.е. приращения ∆ I1, ∆ U1, ∆ I2 и ∆ U2, малы. Существуют разные системы параметров: система Z-параметров (Z имеет размерность сопротивления), у-параметров (у имеет размерность проводимости), h-параметров и другие. Наибольшее распространение при расчете транзисторных низкочастотных схем получили h- параметры. Их преимущество перед собственными параметрами состоит в том, что их удобно определять с помощью измерений в схеме включения транзистора, причем для этого легко создать требуемые режимы по переменному току: короткое замыкание на выходе, соответствующее условию ∆ U2 = 0 (или U2 = const), и холостой ход на входе, соответственно, ∆ I1 = 0 (или I1= const). h11 – входное сопротивление транзистора при неизменном выходном напряжении h11 = h22 – выходная проводимость транзистора при неизменном входном токе h22 = h21 – коэффициент усиления тока при неизменном выходном напряжении: h21 = h12 – коэффициент внутренней обратной связи по напряжению при неизменном входном токе h12 = Поскольку в систему h-параметров входят сопротивление, проводимость и безразмерные величины, их иногда называют смешанными, или гибридными, параметрами. Эти параметры зависят от схемы включения транзистора и в разных схемах имеют разные значения. Поэтому к индексу добавляют букву, обозначающую схему включения: для схемы ОБ параметры h11б, h22б, h21б, h12б; для схемы ОЭ - h11э, h22э, h21э, h12э; для схемы ОК добавляется буква «к». Определение h-параметров по статическим характеристикам транзистора для схем ОЭ показано на рис. 3.9. где h11 определяется по одной входной характеристике, h22 – по одной выходной, h21 – по двум выходным, h12 – по двум входным. Рассмотрим h-параметры в схеме с ОЭ h11э –входное сопротивление транзистора при неизменном выходном напряжении h11э = h22э – выходная проводимость транзистора при неизменном входном токе h22э = h21э – коэффициент усиления тока при неизменном выходном напряжении: h21э = h12э – коэффициент внутренней обратнойсвязи по напряжению при неизменном входном токе h12э = Для определения h11э выбирают два тока базы на оси Iб и проецируют на входную характеристику при Uкэ = const находят точки на характеристики. Затем от точек проводят линии на ось Uбэ и вычисляют по формуле 1. Для определения h22э выбирают из семейства выходную характеристику, снятую при Iб = const Находят приращение тока коллектора ∆
Для определения h21э семейство выходных характеристик пересекают линией Для определения h12э выбирают две входные характеристики, снятые при двух значениях напряжений между коллектором и эмиттером Iб = const через А (р. т) линию IБ = const на середине оси Iб. Затем точки пересечения этой линии с характеристиками проецирует на ось UБЭ, определяют
|