Элементы полупроводниковых интегральных микросхем

Полупроводниковые резисторы – это резисторы изготовленные в полупроводниковом материале методами полупроводниковой технологии, которыми формируются транзисторы, диоды и все остальные элементы полупроводниковой ИМС. Их делят на объёмные и диффузионные.

Объёмные резисторы получают созданием омических т.е. невыпрямляющих контактов металл – полупроводник. Они не имеют широкого распространения из-за температурной нестабильности и большой занимаемой площади.

Диффузионные резисторы получают одновременно с формированием других элементов при изготовлении транзисторной структуры n-p-n методами планарной технологии.

Обычно используют базовый или эмиттерный диффузионный слой транзисторной структуры. Толщина такого резистора порядка 3 мкм.

Наиболее распространены резисторы, сформированные на основе базового слоя. В островки эпитаксиального слоя, предназначенного для формирования резистора, эмиттерный слой не создаётся. Базовый слой используется как резистор; на поверхности кристалла он защищён изоляционным слоем SiO2, а на концах полоски базового слоя путём металлизации алюминием делают выводные контакты 1 и 2.

Поскольку базовый слой имеет небольшую концентрацию основных носителей, то на его основе формируют высокоомные резисторы. Для получения низкоомных резисторов используют эмиттерный слой n⁺- типа, сопротивление которого значительно меньше, чем базового, из-за высокой концентрации основных носителей заряда.