Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Решение. Плотность обратного тока насыщения определяется равенством: ⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2
Плотность обратного тока насыщения определяется равенством:
. Коэффициенты диффузии для дырок и свободных электронов соответственно определяются равенствами и , где
называется тепловым потенциалом. Концентрация неосновных носителей в п -области р-п- перехода равна:
= (2, 5× 1019)2/(1, 60× 1021) = 3, 91× 1017 м-3. Концентрация неосновных носителей в р -области р-п- перехода равна: = (2, 5× 1019)2/(3, 29× 1023) = 1, 9× 1015 м-3. Плотность обратного тока насыщения будет равна:
=0, 31 А× м-2. Отношение дырочной составляющей обратного тока к электронной
=100. Прямое напряжение, которое необходимо приложить к р-п- переходу для того, чтобы получить плотность тока 105 А× м-2, можно найти из равенства
. Так как
=3, 2× 105 и
=12, 7, то
=0, 328 В.
|