Студопедия

Главная страница Случайная страница

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Разновидности интерфейса динамической памяти






Динамическая память была изобретена ещё в 1966 году Робертом Деннардом из исследовательского центра Уотсона корпорации IBM, она отличается удачным соотношением ёмкость/цена и невысоким тепловыделением. За 40 лет существования, структура DRAM остаётся неизменной и модифицируется только интерфейс, меняясь на уровне взаимодействия микросхемы памяти и контроллера памяти, при этом удаётся добиться значительного роста пропускной способности. Таким путём создавались технологии организации DRAM: PM DRAM (Page Mode DRAM), FPM DRAM (Fast Page Mode), EDO (Extended Data Out), SDRAM (Synchronouse DRAM), DDR SDRAM (Double Data Rate), DDR2 (усовершенствованная DDR- память), DDR3, DRDRAM (Direct Rambus DRAM), QBM (Quad Band Memory). Вцелом существует около 30 видов DRAM.

Разнобразные виды динамической памяти можно разделить на две группы: асинхронная и синхронная память. Все современные виды памяти относятся к типу синхронной. К устаревшим асинхронным видам DRAM относят PM DRAM, которую устанавливали на компьютеры поколений PC XT, AT 286, AT 386. На АТ 486 и персональные компьютеры с ранними моделями процессора Pentium устанавливали FPM DRAM, позволявшую поднять частоту шины, по которой процессор сообщался с памятью, до 40 МГц. Результатом дальнейшего совершенствования асинхронной памяти была EDO DRAM, которая вместе с пакетным режимом передачи данных позволяла достичь тактовой частоты 66 МГц. Это удовлетворяло потребности процессоров Pentium P54C с частотой ядра до 200 МГц и Pentium P55C (MMX) с частотами до 233 МГц.

Пакетный режим передачи данных (Burst Mode) применяется в персональных компьютерах, начиная с AT 486. Суть этого режима заключается в том, что при необходимости чтения из памяти одного машинного слова, процессор считывает вместе с ним ещё три слова, расположенные рядом. Время пересылки информации из памяти в процессор измеряют в тактах работы процессорной шины (FSB) и обычно записывают в виде формулы Y-XXX. Это означает, что первое машинное слово будет считано за " Y" тактов, а каждое остальное- за " X" тактов, причём Y> X. Таким образом, в Burst Mode данные передаются быстрее, чем при чтении отдельными словами. Формула Burst Mode составляет: для FPF DRAM 5-3-3-3, EDO DRAM 5-2-2-2. Для сравнения, статическая память (SRAM) имеет формулу 2-1-1-1.

Быстродействие асинхронных типов DRAM характеризуется временем цикла обращения, т.е. минимальным периодом, с которым можно выполнить повторяющееся обращение по произвольным адресам. Для микросхем DRAM, в зависимости от их качества, это время составляет 50, 60 или 70 нс (10-9 сек). Процессор, работающий с асинхронной памятью, вынужден простаивать (отрабатывать пустые циклы ожидания), в то время как память выполняет свою работу, что снижает быстродействие процессора и компьютера вцелом. Максимальная частота, на которой EDO DRAM могла поспевать за микропроцессором, была 83 МГц. Эта частота была официально заявлена только для шины процессоров компании Cyrix, в то время как более осторожная компания Intel для своих микропроцессоров ограничивала частоту шины, связывающей процессор с асинхронной динамической памятью, величиной 66 МГц).

С появлением микропроцессоров, имеющих внешнюю частоту 100 МГц (Pentium II), асинхронная память не могла обеспечивать стабильную работу. Потребовались новые технологические решения, стала применяться синхронная (Synchronous) DRAM (SDRAM). Микросхемы SDRAM в пакетном режиме обеспечивают формулу 5-1-1-1. Синхронная память выдаёт запрошенную информацию на системную шину под контролем тактового генератора, в соответствии с его тактами, как это происходит с процессором и системной шиной. При этом устройство DRAM усложняется- в её структуру помещают ячейки SRAM- " защёлки", которые хранят данные, адреса и управляющие сигналы, освободившись от которых, процессор может выполнять полезную работу, не простаивая в ожидании обработки запроса памятью. После определённого количества тактов, число которых считает специальный счётчик, запрошенные данные становятся доступными и процессор может забрать их из системной шины.

В синхронной памяти, в отличие от асинхронной, для описания быстродействия вместо продолжительности цикла доступа в наносекундах стали применять минимально допустимый период тактовой частоты (интервал времени между тактами), как это указано в таблице 4.1.

Харктеристики микросхем памяти DRAM

Таблица 4.1.

Продолжительность цикла доступа микросхемы DRAM, нс        
Минимальный допустимый период тактовой частоты, нс        
Частота шины процессора, МГц        

Существуют три стандарта SDRAM, различающиеся тактовой частотой, на которую они были рассчитаны: РС 66, РС 100, РС 133. Продукты последнего из перечисленных стандартов применялись в компьютерах с процессорами, имеющими собственную частоту до 1 ГГц (при частоте процессорной шины 100- 133 МГц). С появлением процессоров AMD Athlon и Intel Pentium 4 быстродействия SDRAM стандарта РС 133 стало недостаточно, поэтому были предложены новые типы DRAM, обеспечивающие дальнейший рост производительности вычислительных систем.

Синхронная динамическая память с удвоенной скоростью передачи данных DDR SDRAM (Double Data Rate). По принципу работы эта память схожа с обычной SDRAM (SDR SDRAM, от слов Single Data Rate), но в отличие от последней, может принимать и передавать данные в два раза быстрее- на обеих фронтах тактовых импульсов. При этом передача адресов ячеек памяти происходит с обычной, а не удвоенной скоростью. Модули памяти DDR SDRAM могут работать на частоте 133, 166 и 200 МГц, и теоретическая (результирующая, эквивалентная) частота, характеризующая скорость передачи данных, равна соответственно 266, 333 и 400 МГц. В соответствии с результирующими тактовыми частотами, существуют три стандарта DDR-памяти: DDR266, DDR333 и DDR400. Другие названия этих стандартов, параллельно использующиеся в литературе- PC2100, PC2700, PC3200.

Альтернативой DDR- памяти некоторое время служила Direct Rambus DRAM (DRDRAM). Этот тип динамической памяти появился в 1998 году и активно продвигался на рынок компанией Intel для поддержки процессоров Pentium III и Pentium 4 Willamette. Память DRDRAM была заметно быстрее DDR SDRAM при выполнении ряда характерных задач (например, при кодировании и декодировании видеосигнала), но существенно дороже её. Поэтому RDRAM не получила широкого применения на персональных компьютерах, сейчас практически забыта, и разработчики сконцентрировались на совершенствовании памяти DDR.


Поделиться с друзьями:

mylektsii.su - Мои Лекции - 2015-2024 год. (0.005 сек.)Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав Пожаловаться на материал