![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
ОБЛАДНАННЯ. 1. Джерело – змінного струму на 220 В -1 шт. ⇐ ПредыдущаяСтр 9 из 9
1. Джерело – змінного струму на 220 В -1 шт. 2. Електролампи на 220 В 25 Вт 3. Вимикачі 4. Джерело постійного струму на 30 В -1 шт. 5. Вольтметр постійного струму на 30 В 6. Міліамперметр постійного струму на 10 mA 7. Фоторезистор типу ФР-765 8. Комплект з'єднувальних проводів - 1шт. Короткі теоретичні дані Згідно ГОСТ 22622-77 фоторезистивиий ефект - зміна електричного опору напівпровідника, яка обумовлена винятково дією оптичного випромінювання та не зв'язана з його нагрівом. Згідно ГОСТ 22622-77 фотопровідність-електропровідність напівпровідника, яка обумовлена фоторезистивним ефектом. До оптичного випромінювання відносять ультрафіолетове, видиме та інфрачервоне з довжиною хвилі від десятків нанометрів Видиме випромінювання знаходиться у діапазоні довжин хвиль Мкм. Робота фотоелектричних приладів заснована на фотоелектричних явищах (фотоефектах). Розрізнюють два виду фотоефекта: внутрішній та зовнішній. Внутрішній фотоефект - збудження електронів речовин, тобто перехід їх на більш високий енергетичний рівень під впливом випромінювання, завдяки чому змінюється концентрація вільних носіїв зарядів, а значить, і електричні властивості речовини. У металах внутрішній фотоефект є відсутнім. Він є тільки у напів- провідників. Його використовують у фоторезисторах, фотодіодах, фототраизисторах та інших напівпровідникових фотоелектричних приладах. Зовнішній фотоефект - фотоелектронна емісія, тобто вихід електронів за межі поверхні речовини під дією випромінювання. Фотоелектронна емісія у більший або менший мірі може відбуватися у будь-який речовині. Зовнішній фотоефект використовують у вакуумних та газорозрядних фотоелементах а також у фотоелек- тронних помножувачах. В залежності від способу передачі додаткової енергії електронам розрізняють: - термоелектронну емісію, при якій додаткова енергія передається в результаті нагрівання металевого або напівпровідникового електрода - катода; - фотоелектронну емісію, при якій на поверхню катода діє електромагнітне випромінювання. Фоторезистор складається із пластини або плівки напівпровідникового матеріалу, який закріплений на основі із непровідного матеріалу - скла, кераміки або кварцу. Світловий потік попадає крізь спеціальний отвір (вікно) на фотоактивний матеріал, який знаходиться у корпусі фоторезистора. В якості електродів використовують метали, які не піддаються корозії (золото, платина та ін.) та утворюють хороший контакт з напівпровідником. Для захисту від зовнішніх впливів поверхню фотоактивного матеріалу покривають шаром прозорого лаку. При підключенні неосвітленого фоторезистора до джерела живлення по колу тече темновий струм ІТ, який зумовлений наявністю в неосвітленому напівпровіднику деякої кількості вільних носіїв заря- ду. При освітленні фоторезистора струм у колі І значно зростає за рахунок збільшення концентрації вільних носіїв заряду. Світловий струм або фотострум Вольтамперні характеристики більшості фоторезисторів лінійні, але у деяких випадках при збільшенні напруги лінійність порушується. Фотострум також залежить від спектрального складу світлового потоку. Фоторезистори мають значну інерцію, яка зумовлена часом генерації та рекомбінації електронів та дірок, що відбувається при зміні освітленості фоторезистора. Чутливість деяких типів фоторе -зисторів значно зменшується при частотах модуляції світлового потоку біля 1 кГц. Фоторезистори із селенистого свинцю менш інерційні і можуть діяти на частотах біля 10 кГц. Значення параметрів фоторезисторів, як і будь-яких напівпровідникових приладів, істотно залежать від температури. Переваги фоторезисторів:. 1) висока чутливість; 2) можливість використання у інфрачервоній області спектру випромінювання; 3) малі габарити; 4) робота як на постійному так і на змінному струмі,. Послідовність проведення роботи 1. Вивчіть будову, принцип дії, основні особливості та області застосування фоторезисторів. 2.Встановіть на блоці живлення перемикач " 0... 30 В" у положення " - " та включіть перемикач " ~220 В ". 3. Зберіть схему дослідження фоторезистора (рис. 18) та пред'явіть викладачу для перевірки. 4. Змінюючи напругу 5. На рис. 19 по крапкам побудуйте вольтамперні характеристики б. Проведіть аналіз вольт-амперних характеристик фоторезис- тора та запишіть у робочий зошит висновки і рекомендації.
Рис. 18. Схема дослідження фоторезистора типу ФР-765 Таблиця 12 Параметри дослідження фоторезистора
Зміст звіту 1. Номер, назва та мета лабораторної роботи. 2. Схема дослідження (рис.18). 3. Таблиця 12. 4. Вольтамперні характеристики фоторезистора (рис. 19) 5. Висновки та рекомендації. Контрольні запитання 1. Яка будова та принцип дії фоторезисторів?
Uф, В
Рис.19. Вольт-амперні характеристики фоторезистора при різних освітленнях: - для 1 лампи; - для 2 ламп; - для 3 ламп.
2. Які основні особливості та області застосування фоторезисторів? 3. Що таке фоторезистивний ефект? 4. Що таке темновий струм? 5. Як залежить фотострум від напруги UФ та освітлення? 6. Що таке вольтамперні характеристики фоторезистора та який вигляд вони мають?
Бібліографічний список [6. С. 239.., 244; 7. С. 72...74].
Бібліографічний список 1. Электротехника: Учебник под ред. В.Г. Герасимова, - М.: Высшая школа, 1985.-480 с. 2. Борисов Ю.М., Липатов Д.Н., Зорин Ю.Н. Электротехника.-М.: Энергоатомиздат, 1985.-551 с. 3. Касаткин А.С., Немцов М.В. Электротехника.-М.: Энергоатомиздат, 1983.-440 с. 4. Иванов И.И., Равдовник В.С. Электротехника.-М.: Высшая школа. 1984.-375 с. 5. Волынский Б.А., Зейн Е.Н., Шатерников В.Е. Электротехника.-М.: Энергоатомиздат, 1987.-526 с. 6. Иванов А.А. Электротехника.-Киев: Высшая школа. 1982.-343с. 7.Основы промышленной электроники: Учебник /Под ред. В.Г. Герасимова.- М.: Высшая школа, 1986.- 336 с. 8. Овчаров В.В. Теоретичні основи електротехніки.-К.: Урожай, 1993.-224с. ЗМІСТ Лабораторна робота № 9. Дослідження однофазного трансформатора__________________________________________ З Лабораторна робота № 10. Дослідження трифазного асинхронного двигуна з короткозамкненим ротором__________ 10 Лабораторна робота №11. Дослідження асинхронного двигуна з фазним ротором ________________________________19 Лабораторна робота № 12. Дослідження генератора постійного струму з незалежним збудженням________________ 25 Лабораторна робота № ІЗ. Дослідження напівпровідникового діода____________________________________________ 30 Лабораторна робота № 14. Дослідження схем напівпро -відникових випрямлячів_________________________________ _35 Лабораторна робота № 15. Дослідження біполярного транзистора____________________________________________ 40 Лабораторна робота № 16. Дослідження фоторезистора__________________________________________ 47 Бібліографічний список __________________________ _52
|