Построение нагрузочных характеристик и кривой допустимой мощности. Выбор области безопасного режима.

– уравнением линии нагрузки

На оси абсцисс отложим отрезок, равный – напряжению источника питания коллекторной цепи, а на оси ординат отложим отрезок, соответствующий максимально возможному току в цепи этого источника:

Между этими точками проведем прямую линию, нащываемую линией нагрузки.Наклон линии нагрузки определяется сопротивлением .

В паспортных данных каждого транзистора указывается его предельно допустимая мощность рассеивания, превышение которой недопустимо, так как ведет к тепловому разрушению полупроводниковой структуры. Возьмем это значение мощности и, учитывая, что оно равно: Будем задавать дискретные значения напряжения : , , и т.д. и для каждого этого значения напряжения вычислим предельно допустимое значение коллекторного тока :

Отложим эти значения напряжений и токов в осях координат и построим по полученным точкам кривую, называемую гиперболой допустимых мощностей.

Эта кривая делит всю площадь первого квадранта семейства выходных характеристик на рабочую и нерабочую области. Если теперь совместить эту кривую с выходными характеристиками транзистора, то очевидно, что линия нагрузки не должна выходить за пределы рабочей области, чтобы не вывести транзистор из строя.