Исходные данные. 1. Определить ток базы Iб, ток эмиттера Iэ и напряжение на коллекторе Uк транзистора, а также рассчитать величину резистора Rб

1. Определить ток базы I_б, ток эмиттера I_э и напряжение на коллекторе U_к транзистора, а также рассчитать величину резистора R_б, обеспечивающую заданное значение тока коллектора.

3, 077 ^. 10^-5 А – ток базы в рабочей точке

0, 002А – ток эмиттера

7, 8 В – напряжение на коллекторе

U _б=0, 7 В

3, 673 ^. 10⁵ Ом – сопротивление в цепи базы

2. Рассчитать мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора Р_к, а также мощность, потребляемую от источника питания Р₀.

0, 016 Вт

0, 024 Вт

3. Вычислить модуль коэффициента передачи тока базы транзистора | β (f) | на частоте входного сигнала f.

44.881

4. Рассчитать диффузионную емкость эмиттерного перехода С_{э диф}.

12, 803 Ом – дифференциальное сопротивление эмиттерного перхода

1, 184 ^. 10^-10 Ф – диффузионная емкость эмиттерного перехода

5. Определить модуль входного сопротивления транзистора | Z_вх(f) | на заданной частоте f.

717, 229-j ^. 272.871

| |=767, 383 Ом

6. Рассчитать коэффициент усиления по напряжению K_u усилительного каскада на заданной частоте f при условии, что барьерной емкостью коллекторного перехода можно пренебречь, а дифференциальное сопротивление коллекторного перехода много больше R_к.

86.319 коэффициент усиления по напряжению

7. Рассчитать коэффициент усиления K_u в области низких частот при f → 0 (в этом случае можно пренебречь влиянием диффузионной емкостью эмиттерного перехода).

1, 172 ^. 10³ Ом – модуль входного сопротивления на низких частотах

116, 448 – коэффициент усиления на низких частотах

8. Вычислить мощность выходного сигнала Р_вых.

0.932 В

4, 14 ^. 10^-4 Вт

9. Получить выражение для коэффициента усиления мощности исследуемого каскада в области низких частот.