![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
По курсовому проектированию ⇐ ПредыдущаяСтр 9 из 9
Студенту__________________________________________________________ 1. Тема проекта Разработка конструкции и технологии изготовления ____________________________________________________________________ 2. Срок сдачи студентом законченного проекта____________________________ 3. Исходные данные к проекту__________________________________________
Температурный диапазон работы микросхемы, °С___ток коллектора биполярных транзисторов, мА___, наработка на отказ, ч, не менее 10000, коэффициент заполнения площади кристалла (платы), не менее 0, 45 4. Содержание расчетно-пояснительной записки (перечень вопросов, которые подлежат разработке). Введение. 1. Анализ исходных данных и формирование расширенного технического задания на проектирование. 2. Выбор и обоснование конструктивных и технологических материалов. 3. Конструкторские расчеты.
5. Перечень графического материала (с указанием обязательных чертежей и графиков). 1. Схема электрическая принципиальная. Перечень элементов. 2. Топологический чертеж общего вида полупроводникового кристалла или платы ГИС. Комплект фотошаблонов. 3. Сборочный чертеж. Спецификация. 6. Консультант по проекту______________________________________________ 7. Дата выдачи задания________________________________________________ 8. Календарный график работы над проектом на весь период проектирования___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
РУКОВОДИТЕЛЬ_____________________________________________________
Задание принял к исполнению__________________________________________ (дата и подпись студента) Приложение В УО «Полоцкий государственный университет»
Факультет: радиотехнический
Кафедра: ЭиЭТ
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ По дисциплине: Проектирование и САПР ИМС
Тема: Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы предварительного усилителя
Выполнил: студент гр. 06 РКз Петров Д.В. Домашний адрес, моб. телефон _________________________ № зачетной книжки работа сдана на проверку____________(не заполнять) на доработку____________ к защите____________ зачтено____________
Проверил: к.т.н., доцент Довгяло Д.А.
Новополоцк 2015 Приложение Г УО «Полоцкий государственный университет»
Факультет: радиотехнический
Кафедра: ЭиЭТ
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА К КУРСОВОМУ ПРОЕКТУ По дисциплине: Проектирование и САПР ИМС
Тема: Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы предварительного усилителя
Выполнил: студент гр. 06 РКз Петров Д.В.
Проверил: к.т.н., доцент Довгяло Д.А.
Новополоцк 2015 Приложение Д УО «Полоцкий государственный университет»
Факультет: радиотехнический
Кафедра: ЭиЭТ
|